GD800HFA120C6SD,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=100o C

800

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1600

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

4687

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

900

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1800

A

IFSM

サージ前方電流 t p =10ms @ T vj =125o C @ T vj =175o C

2392

2448

A

I2t

I2t- 価値 ,t p =10ms @ T vj =125o C@ T vj =175o C

28608

29964

A2秒

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.40

1.85

V

IC=800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

1.60

IC=800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175o C

1.60

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=24.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

28.4

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.15

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

2.05

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=800A バー G=0.5Ω, L 秒 =40nH, V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =25o C

168

nS

t バー

昇る時間

78

nS

t 消して

切断する 遅延時間

428

nS

t f

秋の時間

123

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

43.4

mJ

Eオフ

切断する 損失

77.0

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=800A

バー G=0.5Ω, L 秒 =40nH,

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =125o C

172

nS

t バー

昇る時間

84

nS

t 消して

切断する 遅延時間

502

nS

t f

秋の時間

206

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

86.3

mJ

Eオフ

切断する 損失

99.1

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=800A

バー G=0.5Ω, L 秒 =40nH,

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =175o C

174

nS

t バー

昇る時間

90

nS

t 消して

切断する 遅延時間

531

nS

t f

秋の時間

257

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

99.8

mJ

Eオフ

切断する 損失

105

mJ

ISC

SC データ

t P≤8μs, V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,

V CC =800V V 単数 ≤1200V

2600

A

t P≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =175o C,

V CC =800V V 単数 ≤1200V

2500

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.60

2.00

V

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.60

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175o C

1.50

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =800A

-di/dt=7778A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L秒 =40nH ,T vj =25o C

47.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

400

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

13.6

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =800A

-di/dt=7017A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L秒 =40nH ,T vj =125o C

82.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

401

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

26.5

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =800A

-di/dt=6380A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L秒 =40nH ,T vj =175o C

110

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

413

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

34.8

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100 o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2— 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2— 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2— 半角形から

3433

K