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IGBTモジュール,1200V 800A
特徴
典型的なほら申請
絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認ほら
ゲン
シンボル | 記述 | 値 | ユニット |
v についてCES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v について |
v について総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v について |
i についてc について | コレクター ストリーム @ Tc について=100ほらc について | 800 | a について |
i についてセンチメートル | パルスコレクター電流 tp=1ms | 1600 | a について |
pd | 最大電源分散 @ Tvj=175ほらc について | 4687 | ワ |
ダイオード
ほら
シンボル | 記述 | 値 | ユニット |
v についてRRM | 繰り返しのピーク リバース・ボルト年齢 | 1200 | v について |
i についてf について | ダイオード 連続前向きCurrent | 900 | a について |
i についてfm | ダイオード最大前向き電流 tp=1ms | 1800 | a について |
i についてFSM | サージ前方電流 tp=10ms @ Tvj=125ほらc についてほら@ Tvj=175ほらc について | 2392 2448 | a について |
i について2t | i について2t-価値ほらtp=10msありがとうございましたtvj=125 についてほらc について@ Tvj=175ほらc について | 28608 29964 | a について2s |
模組
ほら
シンボル | 記述 | 価値 | ユニット |
tvjmax | 交差点最大温度 | 175 | ほらc について |
tバイト | 交差点の動作温度 | -40から+150 | ほらc について |
tSTG | 貯蔵温度範囲 | -40から+125 | ほらc について |
v についてサイロ | 絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 | 2500 | v について |
ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
ほら ほら v について衛星 | ほら ほら 収集機から発信機へほら飽和電圧 | i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=25ほらc について | ほら | 1.40 | 1.85 | ほら ほら v について |
i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=125 についてほらc について | ほら | 1.60 | ほら | |||
i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=175ほらc について | ほら | 1.60 | ほら | |||
v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について | ゲート発信者の限界値ほら圧力は | i についてc について=24.0ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtvj=25ほらc について | 5.5 | 6.3 | 7.0 | v について |
i についてCES | 収集家ほら切る- わかったオフ流動 | v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vほらtvj=25ほらc について | ほら | ほら | 1.0 | ママ |
i について総エネルギー | ゲート発射器の漏れほら流動 | v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtvj=25ほらc について | ほら | ほら | 400 | ほら |
rゲント | 内部ゲート抵抗アンス | ほら | ほら | 0.5 | ほら | オー |
c についてほら | 入力容量 | v についてザ電気回路が25Vで,f=100KHzで,ほらv について遺伝子組み換え=0V | ほら | 28.4 | ほら | ロープ |
c についてレス | 逆転移転ほら容量 | ほら | 0.15 | ほら | ロープ | |
qg | ゲートチャージ | v について遺伝子組み換え=-15...+15V | ほら | 2.05 | ほら | 微分 |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=800Aほらrg=0.5Ω, Ls=40nH,ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V, tvj=25ほらc について | ほら | 168 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 78 | ほら | NS | |
t消して | 切断するほら遅延時間 | ほら | 428 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 123 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替えほら損失 | ほら | 43.4 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断するほら損失 | ほら | 77.0 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=800Aほら rg=0.5Ω, Ls=40nH, ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V, tvj=125 についてほらc について | ほら | 172 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 84 | ほら | NS | |
t消して | 切断するほら遅延時間 | ほら | 502 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 206 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替えほら損失 | ほら | 86.3 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断するほら損失 | ほら | 99.1 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=800A ほらrg=0.5Ω, Ls=40nH,ほら v について遺伝子組み換え=-8V/+15V, tvj=175ほらc について | ほら | 174 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 90 | ほら | NS | |
t消して | 切断するほら遅延時間 | ほら | 531 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 257 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替えほら損失 | ほら | 99.8 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断するほら損失 | ほら | 105 | ほら | ロープ | |
ほら ほら i についてスコ | ほら ほら SC データ | tp≤8μs,v について遺伝子組み換え=15V tvj=150 についてほらC, v についてcc=800Vほらv について単数ほら≤1200V | ほら | ほら 2600 | ほら | ほら a について |
tp≤6μsv について遺伝子組み換え=15V tvj=175ほらC, v についてcc=800Vほらv について単数ほら≤1200V | ほら | ほら 2500 | ほら | ほら a について |
ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 |
ほら v についてf について | ダイオード 前向きほら圧力は | i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25ほらc について | ほら | 1.60 | 2.00 | ほら v について |
i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=125 についてほらc について | ほら | 1.60 | ほら | |||
i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=175ほらc について | ほら | 1.50 | ほら | |||
qr | 回収された電荷 | ほら v についてr=600V,If について=800A -di/dt=7778A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtvj=25ほらc について | ほら | 47.7 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 400 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復ほらエネルギー | ほら | 13.6 | ほら | ロープ | |
qr | 回収された電荷 | ほら v についてr=600V,If について=800A -di/dt=7017A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtvj=125 についてほらc について | ほら | 82.7 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 401 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復ほらエネルギー | ほら | 26.5 | ほら | ロープ | |
qr | 回収された電荷 | ほら v についてr=600V,If について=800A -di/dt=6380A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtvj=175ほらc について | ほら | 110 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 413 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復ほらエネルギー | ほら | 34.8 | ほら | ロープ |
ほら
NTCほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
r25 | 定数抵抗 | ほら | ほら | 5.0 | ほら | kΩ |
∆R/R | 偏差ほらについてほらr100 | tc について=100ほらほらc についてロープ100=493.3Ω | -5 | ほら | 5 | % |
p25 | 電力 消散 | ほら | ほら | ほら | 20.0 | mw |
b について25/50 | B値 | r2=R25経験[B25/501/T2- わかったほら半角形から | ほら | 3375 | ほら | k |
b について25/80 | B値 | r2=R25経験[B25/801/T2- わかったほら半角形から | ほら | 3411 | ほら | k |
b について25/100 | B値 | r2=R25経験[B25/1001/T2- わかったほら半角形から | ほら | 3433 | ほら | k |
ほら
模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
シンボル | パラメーター | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
わかったザ | 流れる誘導力 | ほら | 20 | ほら | ほら |
rCC+EE | モジュールリード抵抗,端末からチップ | ほら | 0.80 | ほら | mΩ |
rthJC | 接合- わかったについて- わかったケース( ありがとうございました)perIGBT) についてほらケースへの接点 (DIあたり)オーデ) | ほら | ほら | 0.032 ほら0.049 | 総量 |
ほら rthCH | ケースからヒートシンクへの(per IGBT) ケースからヒートシンクへ(peダイオード) ケースからヒートシンク (per模块) | ほら | 0.030ほら 0.046ほら 0.009 | ほら | 総量 |
ロープ | 端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクロール M5 | 3.0ほら3.0 | ほら | 6.0ほら6.0 | ラング |
g | 体重ほらについてほら模組 | ほら | 350 | ほら | g |
ほら
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