GD800HFA120C2S_B20,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

臨時ゲート発射電圧

±20 ±30

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C@ T C=95o C

1280

800

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1600

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

3191

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード連続フォワード電流 エント

800

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1600

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から175

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.30

1.75

V

IC=800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

1.45

IC=800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

1.50

IC=800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175o C

1.55

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=32.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

0.38

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

156

ロープ

Cres

逆転移転 容量

1.10

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-8...+15V

10.3

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=800A バー G=1.2Ω,

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V, T vj =25o C

338

nS

t バー

昇る時間

174

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1020

nS

t f

秋の時間

100

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

65.2

mJ

Eオフ

切断する 損失

88.8

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=800A バー G=1.2Ω,

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V, T vj =125o C

398

nS

t バー

昇る時間

203

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1140

nS

t f

秋の時間

183

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

96.6

mJ

Eオフ

切断する 損失

109

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=800A バー G=1.2Ω,

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V, T vj =150o C

413

nS

t バー

昇る時間

213

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1140

nS

t f

秋の時間

195

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

105

mJ

Eオフ

切断する 損失

113

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=800A バー G=1.2Ω,

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V, T vj =175o C

419

nS

t バー

昇る時間

223

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1142

nS

t f

秋の時間

205

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

110

mJ

Eオフ

切断する

損失

115

mJ

ISC

SC データ

t P≤8μs, V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

3300

A

ISC

SC データ

t P≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =175o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

3000

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.85

IF =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.85

IF =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175o C

1.85

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =800A

-di/dt=5510A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =25o C

28.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

311

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

13.9

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =800A

-di/dt=4990A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =125o C

56.8

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

378

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

23.7

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =800A

-di/dt=4860A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =150o C

66.3

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

395

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

26.7

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =800A

-di/dt=4790A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =175o C

72.1

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

403

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

28.6

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.42

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.047 0.083

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.031 0.055 0.010

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

320

g