簡単な紹介
溶接スリスタモジュール ,MTC200 ，200A、 空気冷却 ,tECHSEMによって生産されています.
VDRM,VRRM |
タイプとアウトライン |
|
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MTC200-06-229H3/229H3B MTC200-08-229H3/229H3B MTC200-10-229H3/229H3B MTC200-12-229H3/229H3B MTC200-14-229H3/229H3B MTC200-16-229H3/229H3B MTC200-18-229H3/229H3B |
特徴 ：
典型的な用途 ：
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シンボル |
特徴 |
試験条件 |
Tj( °C ) |
価値 |
ユニット |
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ほんの少し |
タイプ |
マックス |
|||||
IT(AV) |
平均オン状態電流 |
180違う 半シナス波 50Hz 片側冷却,Tc=85 °C |
125 |
|
|
200 |
A |
IT(RMS) |
RMSオン状態電流 |
125 |
|
|
314 |
A |
|
Idrm Irrm |
繰り返しピーク電流 |
vDRMおよびVRRMで |
125 |
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40 |
mA |
ITSM |
サージオン状態電流 |
10ms半正弦波 VR=60%VRRM |
125 |
|
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4.0 |
kA |
ポイント |
融解調整のためのI2t |
|
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80 |
A 2s*10 3 |
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VTO |
限界電圧 |
|
125 |
|
|
0.70 |
V |
ロープ |
オン状態スロープ抵抗 |
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1.11 |
mΩ |
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VTM |
ピークオン状態電圧 |
ITM=600A |
25 |
|
|
1.80 |
V |
dv/dt |
オフステート電圧の急激な上昇率 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
オン状態の電流の上昇の臨界速度 |
ゲートソース 1.5A tr ≤0.5μs 繰り返し |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
ゲートトリガ電圧 |
0.6 |
|
2.5 |
V |
||
IH |
ホールディング電流 |
10 |
|
250 |
mA |
||
ラング |
ラッチ電流 |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
非トリガゲート電圧 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
ジャンクションからケースへの熱抵抗 |
チップごとに単側冷却 |
|
|
|
0.16 |
°C /W |
Rth(c-h) |
ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 |
チップごとに単側冷却 |
|
|
|
0.08 |
°C /W |
ヴィソ |
絶縁電圧 |
50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
端子接続トルク(M6) |
|
|
2.5 |
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4.0 |
N·m |
取り付けトルク(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
Tvj |
接合温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
ターゲット・ストーブ |
保存温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
ワット |
重量 |
|
|
|
165 |
|
g |
概要 |
229H3 、229H3B |
||||||
概要
設備の整った研究所
我々は試験用の設備の整った研究所を持っており、品質を厳しく管理しています。 製品 これにより、顧客に納品する製品の合格率が100%に達成されることを保証します。
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十分な生産能力
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アプリケーションケース
ユーザーの
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