GD200MLY120C2S,3-level ,IGBT Module,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C= 100o C

337

200

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

400

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

1162

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

400

A

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

400

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.95

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=5.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

4.0

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

20.7

ロープ

Cres

逆転移転

容量

0.58

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

1.55

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G= 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

150

nS

t バー

昇る時間

32

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

330

nS

t f

秋の時間

93

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

11.2

mJ

Eオフ

切断する

損失

11.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G= 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

161

nS

t バー

昇る時間

37

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

412

nS

t f

秋の時間

165

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

19.8

mJ

Eオフ

切断する

損失

17.0

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G= 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

161

nS

t バー

昇る時間

43

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

433

nS

t f

秋の時間

185

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

21.9

mJ

Eオフ

切断する

損失

19.1

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

800

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.65

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

17.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

228

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

7.7

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =125o C

31.8

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

238

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

13.8

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =150o C

36.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

247

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

15.2

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.65

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

17.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

228

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

7.7

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =125o C

31.8

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

238

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

13.8

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =150o C

36.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

247

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

15.2

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の バー 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2—

半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2—

半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2—

半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

バー thJC

接合部からケース (Tごと) 1-T4 IGBT)

接合部からケース (D1-D4ダイオードごと) オーデ)

接合部からケース (D5,D6ダイオードごと) de) について

0.129

0.237

0.232

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per T1-T4 IGBT)

ケースからヒートシンク (D1-D4ごと) ダイオード)

ケースからヒートシンクまで (D5、D6に基づく) ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.073

0.134

0.131

0.010

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

G

重量 の モジュール

340

g