IGBTモジュール 1200V

シンボル

記述

GD600SGL120C2S

単位

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について= 違う25°C

@ Tc について= 違うほら100°C

950

a について

600

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

1200

a について

i についてf について

ダイオード 連続前流

600

a について

i についてfm

ダイオード 最大前向き回転賃貸

1200

a について

pd

最大電源 消耗 @ Tj について= 違うほら175°C

3750

ワ

tスコ

短絡耐性時間

10

μs

tjmax

交差点最大温度

175

°C

tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

°C

tSTG

貯蔵温度範囲

-40から+125

°C

i について2ダイオード

v についてr=0V,t=10ms,Tj について=125 について°C

74000

a について2s

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

2500

v について

ほら

固定トルク

信号ターミナルほらスクリュー:M4

1.1 からほら2.0

ほら

電力端末スクリュー:M6

2.5からほら5.0

ラング

設置ほらスクリュー:M6

平均的なほら5.0

ほら

体重

体重ほらについてほら模組

300

g

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について( ありがとうございました)br) についてCES

収集-発信

断定電圧

tj について=25°C

1200

ほら

ほら

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフほら流動

v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

400

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値

圧力は

i についてc について=24ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25°C

5.0

6.2

7.0

v について

ほら

ほら

v について衛星

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=600A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25°C

ほら

1.9

ほら

ほら

ほら

v について

i についてc について=600A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら125°C

ほら

2.1

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

v についてcc=600V,Ic について=600Aほらrg=3Ω,

v について遺伝子組み換え= 違う±15ほらv,  Tj について=25°C

ほら

200

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

62

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

510

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

v についてcc=600V,Ic について=600Aほらrg=3Ω,

v について遺伝子組み換え= 違う±15ほらv,  Tj について=25°C

ほら

60

ほら

NS

e についてについて

オン 切り替え

損失

ほら

39

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

48

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=600A

rg=3Ω,V遺伝子組み換え= 違う±15ほらv,わかったtj について= 違うほら125°C

ほら

210

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

65

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

600

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

75

ほら

NS

e についてについて

オン 切り替え

損失

ほら

45

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

60

ほら

ロープ

c についてほら

入力容量

ほら

v についてザ電気回路が1MHzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

41.0

ほら

ロープ

c についてオーエス

輸出容量

ほら

3.1

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

2.0

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tsc について≤10μs,V遺伝子組み換え=15V ほらtj について=125 について°Cほら

v についてcc=900Vほらv について単数≤1200V

ほら

ほら

2600

ほら

ほら

a について

わかったザ

流れる誘導力

ほら

ほら

ほら

20

ほら

rcc+ロープほら’

モジュールリード抵抗e についてほらターミナルからチップへ

tc について=25°C

ほら

0.18

ほら

ロープオー

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=600A

tj について=25°C

ほら

1.8

2.4

v について

tj について= 違うほら125°C

ほら

1.9

2.5

qr

逆ダイオード

リカバリーチャージ

ほら

i についてf について=600A

v についてr=600V

di/dt=-6000A/μs,ほらv について遺伝子組み換え=- やってるほら15v

tj について=25°C

ほら

65

ほら

微分

tj について= 違うほら125°C

ほら

100

ほら

ほら

i についてロープ

ダイオードピーク

逆転回復ほら流動

tj について=25°C

ほら

450

ほら

ほら

a について

tj について= 違うほら125°C

ほら

510

ほら

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

tj について=25°C

ほら

35

ほら

ロープ

tj について= 違うほら125°C

ほら

42

ほら

シンボル

パラメーター

タイプする

オーケー

単位

rθJC さん

接続 (IGBT 部分,pe)模块)

ほら

0.04

°C/W

rθJC さん

ケースへの接点 (モードごとに二極管部品)について)

ほら

0.09

°C/W

rθcs

ケースからシンク (電導性油脂)回答しました)

0.035

ほら

°C/W