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IGBT モジュール,1200V 450A
特徴
典型的なほら申請
絶対値ほら最大ほら評価TC=25°C 違いに注意しない限り
ほらゲン
シンボル | 記述 | 価値 | ユニット |
v についてCES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v について |
v について総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±30 | v について |
i についてc について | コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について@ Tc について=95ほらc について | 685 450 | a について |
i についてセンチメートル | パルスコレクター電流 tp=1ms | 900 | a について |
pd | 最大電源分散 @ Tj について=175ほらc について | 2206 | ワ |
ダイオード
ほら
シンボル | 記述 | 価値 | ユニット |
v についてRRM | 繰り返しのピーク逆電圧 | 1200 | v について |
i についてf について | ダイオード 連続前向き賃貸 | 450 | a について |
i についてfm | ダイオード最大前向き電流 tp=1ms | 900 | a について |
模組
ほら
シンボル | 記述 | 価値 | ユニット |
tjmax | 交差点最大温度 | 175 | ほらc について |
tショウジョウ | 交差点の動作温度 | -40から+150 | ほらc について |
tSTG | 保存温度範囲 | -40から+125 | ほらc について |
v についてサイロ | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分前 | 4000 | v について |
ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
ほら ほら v について衛星 | ほら ほら 収集機から発信機へほら飽和電圧 | i についてc について=450A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について | ほら | 1.70 | 2.15 | ほら ほら v について |
i についてc について=450A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について | ほら | 1.95 | ほら | |||
i についてc について=450A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について | ほら | 2.00 | ほら | |||
v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について | ゲート発信者の限界値ほら圧力は | i についてc について= 違うほら18.0mA,Vザ=V遺伝子組み換えほらtj について=25ほらc について | 5.0 | 5.6 | 6.5 | v について |
i についてCES | 収集家ほら切る- わかったオフ流動 | v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vtj について=25ほらc について | ほら | ほら | 5.0 | ママ |
i について総エネルギー | ゲート発射器の漏れほら流動 | v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について | ほら | ほら | 400 | ほら |
rゲント | 内部ゲート抵抗アンス | ほら | ほら | 0.7 | ほら | オー |
c についてほら | 入力容量 | v についてザ電気回路が1Mhzでほらv について遺伝子組み換え=0V | ほら | 39.0 | ほら | ロープ |
c についてレス | 逆転移転ほら容量 | ほら | 1.26 | ほら | ロープ | |
qg | ゲートチャージ | v について遺伝子組み換え=15V | ほら | 2.46 | ほら | 微分 |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=450Aわかったrg= 違うほら1.5Ω v について遺伝子組み換え=±15Vtj について=25ほらc について | ほら | 360 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 140 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 550 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 146 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替えほら損失 | ほら | 11.5 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断するほら損失 | ほら | 48.0 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=450Aわかったrg= 違うほら1.5Ω v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について | ほら | 374 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 147 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 623 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 178 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替えほら損失 | ほら | 17.9 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断するほら損失 | ほら | 64.5 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=450Aわかったrg= 違うほら1.5Ω v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら150ほらc について | ほら | 381 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 152 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 636 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 184 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替えほら損失 | ほら | 19.6 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断するほら損失 | ほら | 69.0 | ほら | ロープ | |
ほら i についてスコ | ほら SC データ | tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V tj について=150 についてほらC,Vcc=900Vほらv について単数≤1200V | ほら | ほら 1800 | ほら | ほら a について |
ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
ほら v についてf について | ダイオード 前向き圧力は | i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について | ほら | 1.72 | 2.12 | ほら v について |
i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら125ほらc について | ほら | 1.73 | ほら | |||
i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら150ほらc について | ほら | 1.74 | ほら | |||
qr | 回収された電荷 | v についてcc=600V,If について=450A -di/dt=3000A/μs,V遺伝子組み換え=15Vtj について=25ほらc について | ほら | 40.3 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 258 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 19.0 | ほら | ロープ | |
qr | 回収された電荷 | v についてcc=600V,If について=450A -di/dt=3000A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について | ほら | 71.9 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 338 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 39.1 | ほら | ロープ | |
qr | 回収された電荷 | v についてcc=600V,If について=450A -di/dt=3000A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら150ほらc について | ほら | 79.3 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 352 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 41.8 | ほら | ロープ |
模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
シンボル | パラメーター | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
わかったザ | 流れる誘導力 | ほら | ほら | 20 | ほら |
rCC+EE | モジュール鉛抵抗端末からチップへ | ほら | 0.35 | ほら | mΩ |
rθJC さん | ケース対ケース (IGBごとに)T) について交差点 (Dあたり)ヨード) | ほら | ほら | 0.068ほら0.117 | 総量 |
rθcs | ケースからシンク (IGBT)ほらケースからシンク (ダイオードごとに) | ほら | 0.111ほら0.190 | ほら | 総量 |
rθcs | ケースからシンク | ほら | 0.035 | ほら | 総量 |
ロープ | 端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6 | 2.5ほら3.0 | ほら | 5.0ほら5.0 | ラング |
g | 体重ほら模組 | ほら | 300 | ほら | g |
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