ホームページ / 製品 / igbt モジュール / IGBTモジュール 1200V
IGBTモジュール,1200V 400A
特徴
典型的なほら申請
絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
ゲン
ほら
シンボル | 記述 | 価値 | ユニット |
総額 | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v について |
VGES | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v について |
ザ | コレクター電流 @ TC=25oC @ TC=70oC | 549 400 | a について |
ICM | パルスコレクター 電流 tp=1ms | 800 | a について |
病状 | 最大電力の分散 @ T = 150oC | 2659 | ワ |
ダイオード
ほら
シンボル | 記述 | 価値 | ユニット |
VRRM | 繰り返しのピーク逆電圧 | 1200 | v について |
だったら | ダイオード 連続前流 | 400 | a について |
ifm | ダイオード最大前向き電流 tp=1ms | 800 | a について |
模組
ほら
シンボル | 記述 | 価値 | ユニット |
Tjmax 合計 | 交差点最大温度 | 150 | oC |
バイバイ | 交差点の動作温度 | -40から+125 | oC |
ターゲット・ストーブ | 貯蔵温度範囲 | -40から+125 | oC |
ヴィソ | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 | 2500 | v について |
ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
ほら v について衛星 | 収集機から発信機へ 飽和電圧 | i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について | ほら | 2.90 | 3.35 | ほら v について |
i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について | ほら | 3.60 | ほら | |||
v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について | ゲート発信者の限界値ほら圧力は | i についてc について= 違うほら16.0mA,Vザ=V遺伝子組み換えについてj について=25ほらc について | 4.5 | 5.5 | 6.5 | v について |
i についてCES | 収集家ほら切る- わかったオフ 流動 | v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V tj について=25ほらc について | ほら | ほら | 5.0 | ママ |
i について総エネルギー | ゲート発射器の漏れほら流動 | v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について | ほら | ほら | 400 | ほら |
rゲント | 内部ゲート抵抗アンス | ほら | ほら | 0.6 | ほら | オー |
c についてほら | 入力容量 | v についてザ電気回路が1Mhzで v について遺伝子組み換え=0V | ほら | 26.0 | ほら | ロープ |
c についてレス | 逆転移転 容量 | ほら | 1.70 | ほら | ロープ | |
qg | ゲートチャージ | v について遺伝子組み換え=- やってるほら15...+15V | ほら | 4.2 | ほら | 微分 |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=400A,わかったrg=2.2Ω v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=25ほらc について | ほら | 76 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 57 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 529 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 73 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え 損失 | ほら | 5.2 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断する 損失 | ほら | 23.2 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=400A,rg=2.2Ω v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について | ほら | 81 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 62 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 567 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 81 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え 損失 | ほら | 9.9 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断する 損失 | ほら | 31.7 | ほら | ロープ | |
ほら i についてスコ | ほら SC データ | tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V tj について=125 についてほらC,Vcc=900Vほらv について単数≤1200V | ほら | ほら 2800 | ほら | ほら a について |
ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
v についてf について | ダイオード 前向き 圧力は | i についてf について=400A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について | ほら | 1.96 | 2.31 | v について |
i についてf について=400A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら125ほらc について | ほら | 1.98 | ほら | |||
qr | 回収された電荷 | v についてr=600V,If について=400A, -di/dt=6000A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vtj について=25ほらc について | ほら | 24.9 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 317 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 16.0 | ほら | ロープ | |
qr | 回収された電荷 | v についてr=600V,If について=400A, -di/dt=6000A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vほらtj について= 違うほら125ほらc について | ほら | 35.5 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 391 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復エネルギー | ほら | 21.4 | ほら | ロープ |
ほら
ほら
模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
わかったザ | 流れる誘導力 | ほら | ほら | 20 | ほら |
rCC+EE | モジュールリードレジスタターミナルからチップへ | ほら | 0.18 | ほら | mΩ |
rthJC | ケース対ケース (IGBごとに)T) について ケースへの接点 (DIあたり)オーデ) | ほら | ほら | 0.047 0.100 | 総量 |
ほら rthCH | ケースからヒートシンクへの(per IGBT) ケースからヒートシンク (pe)ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり)臭い) | ほら | 0.015 0.031 0.010 | ほら | 総量 |
ロープ | 端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6 | 2.5 3.0 | ほら | 5.0 5.0 | ラング |
g | 体重ほらについてほら模組 | ほら | 300 | ほら | g |
専門的な営業チームが あなたの相談を待っています
商品リストをご覧になり 気になる質問をしてください