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IGBTモジュール,1200V 400A
特徴
典型的なほら申請
絶対最大格付けtc について=25°Cほら違う場合を除いてテッド
ほら
シンボル | 記述 | GD400SGK120C2S について | 単位 | |
v についてCES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v について | |
シンボル | 記述 | GD400SGK120C2S について | 単位 | |
v について総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20v | v について | |
i についてc について | コレクター ストリーム @ Tc について=25°C @ Tc について=80 について°C | 550 | a について | |
400 | ||||
i についてCM (CM) (1) | パルスコレクター電流 tp=1ms | 800 | a について | |
i についてf について | ダイオード連続前流について | 400 | a について | |
i についてfm | ダイオード最大前向き電流について | 800 | a について | |
pd | 最大電源 消耗tj について=150 について°C | 2500 | ワ | |
tスコ | 短回路 耐える時間 @ Tj について=125°C | 10 | μs | |
tj について | 交差点の動作温度 | -40からほら+150 | °C | |
tSTG | 貯蔵温度範囲 | -40からほら+125 | °C | |
i について2ダイオード | v についてr=0V,t=10ms,Tj について=125 について°C | 27500 | a について2s | |
v についてサイロ | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | v について | |
設置 トーク | 電力端末ほらスクリュー:M4 電力端末ほらスクリュー:M6 | 1.1 からほら2.0 2.5からほら5.0 | ラング | |
設置ほらスクリュー:M6 | 平均的なほら6.0 | ラング |
電気特性ほらゲンtc について=25°Cほら違いますと
特徴から外れている
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 |
バイCES | 収集-発信 断定電圧 | tj について=25°C | 1200 | ほら | ほら | v について |
i についてCES | 収集家ほら切る- わかったオフほら流動 | v についてザ=VCESバイト遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25°C | ほら | ほら | 5.0 | ママ |
i について総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 流動 | v について遺伝子組み換え=V総エネルギーバイトザ=0Vほらtj について=25°C | ほら | ほら | 400 | ほら |
特徴について
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 |
v について総額 | ゲート発信機 限界電圧 | i についてc について=5.0mA,Vザ=V遺伝子組み換えほら tj について=25°C | 4.5 | 5.1 | 5.5 | v について |
ほら v について衛星 | 収集機から発信機へ 飽和電圧 | i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15V,Tj について=25°C | ほら | 2.2 | ほら | ほら v について |
i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15V tj について=125 について°C | ほら | 2.5 | ほら |
変形する化学
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 | |
tオンに | オンする遅延時間 | v についてcc=600V,Ic について=400A, | ほら | 258 | ほら | NS | |
tr | 昇る時間 | rg=3.3Ω,V遺伝子組み換えほら= 違う±15V | ほら | 110 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | tj について= 25°C | ほら | 285 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら v についてcc=600V,Ic について=400A, rg=3.3Ω,V遺伝子組み換えほら= 違う±15Vほらtj について= 25°C | ほら | 70 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替えほら損失 | ほら | 45 | ほら | ロープ | ||
e についてオフ | 切断するほら損失 | ほら | 26 | ほら | ロープ | ||
tオンに | オンする遅延時間 | ほら ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=400A, rg=3.3Ω,V遺伝子組み換えほら= 違う±15Vほらtj について= 違うほら125°C | ほら | 260 | ほら | NS | |
tr | 昇る時間 | ほら | 120 | ほら | NS | ||
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 300 | ほら | NS | ||
tf について | 秋の時間 | ほら | 80 | ほら | NS | ||
e についてについて | オンほら切り替えほら損失 | ほら | 60 | ほら | ロープ | ||
e についてオフ | 切断するほら損失 | ほら | 40 | ほら | ロープ | ||
c についてほら | 入力容量 | ほら v についてザほら=25V,f=1.0MHz, v について遺伝子組み換えほら=0V | ほら | 74.7 | ほら | ロープ | |
c についてオーエス | 輸出容量 | ほら | 3.3 | ほら | ロープ | ||
c についてレス | 逆転移転 容量 | ほら | 0.64 | ほら | ロープ | ||
ほら i についてスコ | ほら SC データ | tsc について≤10μs,V遺伝子組み換え=15V tj について=125 について°Cについてcc=900V v について単数ほら≤1200V | ほら | ほら 2400 | ほら | ほら a について | |
わかったザ | 流れる誘導力 | ほら | ほら | 16 | ほら | ほら | |
ほら rcc+ロープ’ | 模板リード 抵抗力ほらターミナルほらについてほらチップ | ほら tc について=25°C | ほら | ほら 0.50 | ほら | ほら ロープオー |
電気ほら特徴ほらについてほらダイオードほらtc について=25°Cほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 | |
v についてf について | ダイオード 前向き 圧力は | i についてf について=400A | tj について=25°C | ほら | 2.0 | 2.3 | v について |
tj について=125 について°C | ほら | 2.2 | 2.5 | ||||
qr | 逆ダイオード リカバリーチャージ | ほら ほら i についてf について=400A, v についてr=600V di/dt=-4100A/μs,ほらv について遺伝子組み換え=15V | tj について=25°C | ほら | 31 | ほら | 微分 |
tj について=125 について°C | ほら | 66 | ほら | ||||
ほら i についてロープ | ダイオードピーク 逆転回復ほら流動 | tj について=25°C | ほら | 300 | ほら | ほら a について | |
tj について=125 について°C | ほら | 410 | ほら | ||||
e についてレス | 逆転回復ほらエネルギー | tj について=25°C | ほら | 12 | ほら | ロープ | |
tj について=125 について°C | ほら | 28 | ほら |
熱特性
ほら
シンボル | パラメーター | タイプする | オーケー | 単位 |
rθJC | 接続 (IGBT 部品,各)ほら半モジュール) | ほら | 0.05 | 総量 |
rθJC | ケースへの接続 (DIOD 部品,毎ほら半モジュール) | ほら | 0.08 | 総量 |
rθCS | ケースからシンク (電導性油脂)回答しました) | 0.035 | ほら | 総量 |
体重 | 重さほら模組 | 340 | ほら | g |
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