GD400SGU120C2S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

商品説明

価値

単位

総額

集合器-放出器の電圧

1200

V

VGES

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

集積回路

コレクタ電流 @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

パルスコレクタ電流 tp=1ms

800

A

病状

最大電力の分散 @ T = 150oC

2659

W

シンボル

商品説明

価値

単位

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前流

400

A

IFM

ダイオード最大順方向電流 tp=1ms

800

A

シンボル

商品説明

価値

単位

Tjmax 合計

交差点最大温度

150

oC

バイバイ

交差点の動作温度

-40から+125

oC

ターゲット・ストーブ

保管温度範囲

-40から+125

oC

ヴィソ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

こ C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25主 C

2.90

3.35

V

こ C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125主 C

3.60

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

こ C = 16.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25主 C

4.5

5.5

6.5

V

こ CES

収集家 切断 -オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25主 C

5.0

mA

こ 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25主 C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.6

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

26.0

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.70

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

4.2

微分

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =400A, バー G =2.2Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j =25主 C

76

nS

t バー

昇る時間

57

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

529

nS

t f

秋の時間

73

nS

E を

オン スイッチング

損失

5.2

mJ

E オフ

切断する

損失

23.2

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =400A, バー G =2.2Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125主 C

81

nS

t バー

昇る時間

62

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

567

nS

t f

秋の時間

81

nS

E を

オン スイッチング

損失

9.9

mJ

E オフ

切断する

損失

31.7

mJ

こ SC

SC データ

t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =125主 C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

2800

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

圧力は

こ F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25主 C

1.96

2.31

V

こ F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125主 C

1.98

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25主 C

24.9

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

317

A

E レス

逆転回復 エネルギー

16.0

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125主 C

35.5

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

391

A

E レス

逆転回復 エネルギー

21.4

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

単位

L CE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュールリードレジスタ ターミナルからチップへ

0.18

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.047

0.100

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンク (pe) ダイオード)

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.015

0.031

0.010

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g