GD200HFU120C8S,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C=65o C

262

200

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

400

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =150o C

1315

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

400

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

150

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+125

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

3.00

3.45

V

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

3.80

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

IC=2.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

4.4

5.3

6.0

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.3

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

13.0

ロープ

Cres

逆転移転

容量

0.85

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

2.10

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

87

nS

t バー

昇る時間

40

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

451

nS

t f

秋の時間

63

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

6.8

mJ

Eオフ

切断する

損失

11.9

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

88

nS

t バー

昇る時間

44

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

483

nS

t f

秋の時間

78

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

11.4

mJ

Eオフ

切断する

損失

13.5

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =125o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

1300

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

圧力は

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

2.00

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

13.3

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

236

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

6.6

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =125o C

23.0

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

269

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

10.5

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.095

0.202

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.135

0.288

0.046

総量

M

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

200

g