簡単な紹介
高速回復ダイオードモジュール , MZ x40 0,空冷 ,tECHSEMによって生産されています.
VRRM |
タイプとアウトライン |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V 1800V |
MZx400-06-410F3 MZx400-08-410F3 MZx400-10-410F3 MZx400-12-410F3 MZx400-14-410F3 MZx400-16-410F3 MZx400-18-410F3 MZ400-18-410F3G |
特徴 :
典型的な用途 :
シンボル |
特徴 |
試験条件 |
Tj( °C ) |
価値 |
ユニット |
||
ほんの少し |
タイプ |
マックス |
|||||
IF(AV) |
平均順方向電流 |
180。半正弦波 50Hz 単一側冷却、TC=85 。C |
140 |
|
|
400 |
A について |
IF (RMS) |
RMS順方向電流 |
|
|
628 |
A について |
||
IRRM |
繰り返しピーク電流 |
vRRMで |
140 |
|
|
90 |
mA |
IFSM |
サージ前方電流 |
10ms半正弦波 VR=0.6VRRM |
140 |
|
|
9.5 |
kA |
わかった 2t |
融解調整のためのI2t |
|
|
451 |
103A について 2s |
||
VFO |
限界電圧 |
|
140 |
|
|
1.10 |
V |
rF |
順方向スロープ抵抗 |
|
|
0.27 |
mΩ |
||
VFM |
ピーク順方向電圧 |
IFM= 1200A |
25 |
|
|
2.00 |
V |
trr |
逆回復時間 |
IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V |
140 |
|
4 |
|
μs |
25 |
|
3 |
|
μs |
|||
Rth(j-c) |
ジャンクションからケースへの熱抵抗 |
チップごとに単側冷却 |
|
|
|
0.090 |
°C /W |
Rth(c-h) |
ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 |
チップごとに単側冷却 |
|
|
|
0.020 |
°C /W |
ヴィソ |
絶縁電圧 |
50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
Fm |
端末接続トーク ((M12) |
|
|
12.0 |
|
14.0 |
N·m |
設置トルク (M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
|
Tvj |
接合温度 |
|
|
-40 |
|
140 |
°C |
ターゲット・ストーブ |
保存温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
ワット |
重量 |
|
|
|
3310 |
|
g |
概要 |
410F3 |
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