GD200HFQ120C2SD,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

324

200

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

400

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

1181

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

200

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

400

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

2.25

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=8.00mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

3.8

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

21.6

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.59

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

1.68

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G=4.7Ω L秒 =45nH , V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =25o C

100

nS

t バー

昇る時間

72

nS

t 消して

切断する 遅延時間

303

nS

t f

秋の時間

71

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

26.0

mJ

Eオフ

切断する 損失

6.11

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G=4.7Ω L秒 =45nH , V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =125o C

99

nS

t バー

昇る時間

76

nS

t 消して

切断する 遅延時間

325

nS

t f

秋の時間

130

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

33.5

mJ

Eオフ

切断する 損失

8.58

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G=4.7Ω L秒 =45nH , V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =150o C

98

nS

t バー

昇る時間

80

nS

t 消して

切断する 遅延時間

345

nS

t f

秋の時間

121

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

36.2

mJ

Eオフ

切断する 損失

9.05

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

750

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.95

Qバー

回復した 充電

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L秒 =45nH ,T vj =25o C

19.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

96

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

5.66

mJ

Qバー

回復した 充電

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L秒 =45nH ,T vj =125o C

29.5

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

106

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

8.56

mJ

Qバー

回復した 充電

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L秒 =45nH ,T vj =150o C

32.2

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

107

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

9.24

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.35

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.127 0.163

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.036 0.046 0.010

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g