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概要
IGCTシリーズ製品
当社は、高電力・中電圧用パワーエレクトロニクス向けに高性能の統合ゲート換流サイリスタ（IGCT）を提供しています。 製品 iGCTは、サイリスタ技術と先進的なゲート換流技術の長所を兼ね備えており、高耐圧性、超高電流対応能力、低導通損失、優れたスイッチング特性、および高い信頼性を特徴としています。
IGCT製品群には、以下の2つの主要シリーズがあります。
1. 逆導通IGCT（RC-IGCT）
逆導通IGCTは、IGCTとフリーホイールダイオードを単一の半導体構造に集積化しており、優れたスイッチング特性と簡易なシステム設計を実現するコンパクトなソリューションです。中電圧モータドライブ、コンバータ、高電力インバータシステムなど、幅広い用途に適しています。
2. 非対称IGCT（A-IGCT）
非対称IGCTは、高電力スイッチング用途向けに最適化されており、優れたターンオフ能力、低導通損失、および高電流密度を実現します。中圧コンバータ、産業用モータードライブ、高電力エネルギー変換システムなど、最大の電力処理能力が求められる厳しい用途向けに設計されています。
先進的な半導体技術と信頼性の高いプレスパック封止を採用した当社のIGCT製品は、HVDCシステム、再生可能エネルギー変換、産業用モータードライブ、トラクションシステムなど、さまざまな高電力用途において、効率的で信頼性の高いソリューションを提供します。
アプリケーション
高出力コンバータ
モータードライブ機器
柔軟な伝送システム
特長
自動オフする能力
低コスト
に適合する 用途 シリーズで
鍵 仕様
V DRM |
4500 |
V |
こ TGQM |
5000 |
A |
こ ターミナル・マスク |
35 |
kA |
V から |
1.22 |
V |
バー T |
0.28 |
mΩ |
V DCリンク |
2800 |
V |
ブロッキング データ
シンボル |
状態 |
ほんの少し |
タイプ |
最大 |
単位 |
V DRM |
Tvj＝125℃、ID ≤ IDRM、tp＝10ms |
- |
- |
4500 |
V |
DRM |
Tvj＝125℃、VD＝VDRM、tp＝10ms |
- |
- |
50 |
mA |
dv/dt |
Tvj＝125℃、VD＝0.67×VDRM |
|
|
1000 |
V／μs |
VDClink |
100FITの故障率で許容される中間直流電圧 |
- |
- |
2800 |
V |
VRRM |
/ |
- |
- |
17 |
V |
オン状態 データ
シンボル |
状態 |
ほんの少し |
タイプ |
最大 |
単位 |
こ 試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験 |
Tc＝85℃、正弦半波、両面冷却 |
- |
- |
3000 |
A |
|
こ ターミナル・マスク こ 2t |
Tvj＝125℃、正弦半波、10ms、VD＝VR＝0 |
- - |
- - |
35 545 |
kA 104A 2s |
V ティム |
TVJ = 125℃、IT = 5000A |
- |
2.37 |
2.61 |
V |
|
V から バー T |
TVJ = 125℃、IT = 1000～5000A |
- - |
- - |
1.22 0.28 |
V・mΩ |
オン データ
シンボル |
状態 |
ほんの少し |
タイプ |
最大 |
単位 |
diT/dt |
TVJ = 125℃、IT = 5000A、VD = 2800V、f = 0～500Hz |
- |
- |
5000 |
A/μs |
tdon |
|
- |
- |
4 |
μs |
|
t ダンSF tr |
TVJ = 125℃、IT = 5000A、VD = 2800V、di/dt = VD/Li、CCL = 20μF、RS = 0.4Ω、Li = 3μH、LCL = 0.3μH |
- - |
- - |
8 1 |
μs μs |
Eについて |
|
- |
- |
1.8 |
J |
切断データ
シンボル |
状態 |
ほんの少し |
タイプ e |
最大 |
単位 |
|
こ TGQM |
TVJ = 125℃、VDM ≤ VDRM、VD = 2800V、LCL = 0.3μH、CCL = 20μF、RS = 0.4Ω、f = 0～300Hz DFWD = DCL=SF8.FYB2000-45 |
- |
- |
5000 |
A |
|
t ほら t doffSF について t f E OFF |
TVJ = 125℃、ITGQ = 5000A、VD = 2800V、VDM ≤ VDRM、CCL = 20μF、RS = 0.4Ω L i = 4μH, L CL = 0.3μH DFWD = DCL = SF8.FYB2000-45 |
- - - - |
- - - 28 |
8 10 1 33 |
μs μs μs J |
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