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IGBT モジュール,1200V 1200A
特徴
典型的なアプリケーション
絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25°Cほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | 記述 | GD1200SGL120C3S | 単位 | |
v についてCES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v について | |
v について総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v について | |
i についてc について | コレクター電流 | @ Tc について=25°C @ Tc について= 違うほら100°C | 1900 | a について |
1200 | ||||
i についてセンチメートル(1) について | パルスコレクター電流 tp= 違うほら1ミリ秒 | 2400 | a について | |
i についてf について | ダイオード 連続前流 | 1200 | a について | |
i についてfm | ダイオード 最大前向き回転賃貸 | 2400 | a について | |
pd | 最大電源 消耗 @ Tj について= 違うほら175°C | 8823 | ワ | |
tスコ | 短回路 耐える時間 @ Tj について=125 について°C | 10 | μs | |
tj について | 交差点の動作温度 | -40から+150 | °C | |
tSTG | 貯蔵温度範囲 | -40から+125 | °C | |
i について2ダイオード | v についてr=0V,t=10ms,Tj について=125 について°C | 300 | カ2s | |
v についてサイロ | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | v について | |
設置 トーク | 電力端末スクリュー:M4 電力端末スクリュー:M8 | 年間ほら2.3 平均値ほら10 | ラング | |
設置ほらスクリュー:M6 | 4.25からほら5.75 | ラング |
ほら
ほら
電気ほら特徴ほらについてほらゲンほらtc について=25°Cほらしない限りほら違うならほら確認
特徴から外れている
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 |
バイほらCES | 収集-発信 断定電圧 | tj について=25°C | 1200 | ほら | ほら | v について |
i についてCES | 収集家ほら切る- わかったオフほら流動 | v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25°C | ほら | ほら | 5.0 | ママ |
i について総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 流動 | v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vほらtj について=25°C | ほら | ほら | 800 | ほら |
特徴について
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 |
v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について | ゲート発信者の限界値 圧力は | i についてc について=48.0ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらtj について=25°C | 5.0 | 6.5 | 7.0 | v について |
ほら ほら v について衛星 | ほら 収集機から発信機へ 飽和電圧 | i についてc について= 違うほら1200A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25°C | ほら | 1.9 | ほら | ほら ほら v について |
i についてc について= 違うほら1200A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら125°C | ほら | 2.1 | ほら |
ほら
変形する特性
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 |
rゲント | 内部ゲートレジスタ | tj について=25°C | ほら | 1.2 | ほら | オー |
q遺伝子組み換え | ゲートチャージ | i についてc について= 違うほら1200A,Vザ=600Vほらv について遺伝子組み換え=- やってるほら15...+15V | ほら | 12.5 | ほら | 微分 |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | v についてcc=600V,Ic について=1200A rg=0.82Ω,V遺伝子組み換えほら= 違うほら±15Vほらtj について=25°C | ほら | 790 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 170 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 1350 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 180 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=1200A rg=0.82Ω,V遺伝子組み換えほら= 違う±15ほらv,ほら tj について= 違うほら125°C | ほら | 850 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 170 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 1500 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 220 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え損失 | ほら | 155 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断切換損失 | ほら | 190 | ほら | ロープ | |
c についてほら | 入力容量 | ほら v についてザ電気回路が1MHzで v について遺伝子組み換え=0V | ほら | 92.0 | ほら | ロープ |
c についてオーエス | 輸出容量 | ほら | 8.40 | ほら | ロープ | |
c についてレス | 逆転移転 容量 | ほら | 6.10 | ほら | ロープ | |
ほら i についてスコ | ほら SC データ | tsc について≤10μs,V遺伝子組み換え=15V ほらtj について=125 について°Cほら v についてcc=900Vほらv について単数≤1200V | ほら | ほら 7000 | ほら | ほら a について |
わかったザ | 流れる誘導力 | ほら | ほら | 15 | ほら | ほら |
rcc+ロープほら’ | モジュールリード抵抗e についてほらターミナルからチップへ | tc について=25°C切り替えるごとに | ほら | 0.10 | ほら | ロープオー |
ほら
ほら
ほら
電気ほら特徴ほらについてほらダイオードほらtc について=25°Cほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 | |
v についてf について | ダイオード 前向き 圧力は | i についてf について= 違うほら1200a | tj について=25°C | ほら | 1.9 | ほら | v について |
tj について= 違うほら125°C | ほら | 2.1 | ほら | ||||
qr | 逆ダイオード リカバリーチャージ | ほら i についてf について= 違うほら1200A v についてr=600V di/dt=-6800A/μs,ほらv について遺伝子組み換え=- やってるほら15v | tj について=25°C | ほら | 110 | ほら | 微分 |
tj について= 違うほら125°C | ほら | 220 | ほら | ||||
ほら i についてロープ | ダイオードピーク 逆転回復ほら流動 | tj について=25°C | ほら | 760 | ほら | ほら a について | |
tj について= 違うほら125°C | ほら | 990 | ほら | ||||
e についてレス | 逆転回復ほらエネルギー | tj について=25°C | ほら | 47 | ほら | ロープ | |
tj について= 違うほら125°C | ほら | 82 | ほら |
熱特性バイアス
ほら
シンボル | パラメーター | タイプする | オーケー | 単位 |
rθJC さん | 接続 (IGBT 部分,pe)模块) | ほら | 0.017 | 総量 |
rθJC さん | ケースへの接点 (モードごとに二極管部品)について) | ほら | 0.025 | 総量 |
rθcs | ケースからシンク (電導性脂肪が適用され,模块) | 0.006 | ほら | 総量 |
体重 | 体重ほらについてほら模組 | 1500 | ほら | g |
ほら
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