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IGBT モジュール,1200V 1000A
特徴
典型的なほら申請
絶対値ほら最大ほら評価ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認ほら
ゲン
シンボル | 記述 | 値 | ユニット |
v についてCES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v について |
v について総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v について |
i についてについて | 実装されたコレクター Current | 1000 | a について |
i についてc について | コレクター ストリーム @ Tf について=75ほらc について | 765 | a について |
i についてセンチメートル | パルスコレクター電流 tp=1ms | 2000 | a について |
pd | 最大電力損失行動ほらありがとうございましたtf について=75ほらc についてほらtj について=175ほらc について | 1515 | ワ |
ダイオード
ほら
シンボル | 記述 | 値 | ユニット |
v についてRRM | 繰り返しのピーク リバース・ボルト年齢 | 1200 | v について |
i についてフラン | 実装されたコレクター Current | 1000 | a について |
i についてf について | ダイオード 連続前向きCurrent | 765 | a について |
i についてfm | ダイオード最大前向き電流 tp=1ms | 2000 | a について |
i についてFSM | サージ前方電流ほらtp=10ms @tj について=25ほらc についてほら@Tj について=150C | ほら 4100 3000 | a について |
i について2t | i について2t値,tp=10ms@Tj について=25Cわかった@Tj について=150C | 84000 45000 | a について2s |
模組
ほら
シンボル | 記述 | 価値 | ユニット |
tjmax | 交差点最大温度 | 175 | ほらc について |
tショウジョウ | 交差点の動作温度 | -40から+150 | ほらc について |
tSTG | 貯蔵温度範囲 | -40から+125 | ほらc について |
v についてサイロ | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分前 | 2500 | v について |
ほら
ゲンほら特徴ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
ほら ほら v について衛星 | ほら ほら 収集機から発信機へほら飽和電圧 | i についてc について=1000A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について | ほら | 1.45 | 1.90 | ほら ほら v について |
i についてc について=1000A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について | ほら | 1.65 | ほら | |||
i についてc について=1000A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=175ほらc について | ほら | 1.80 | ほら | |||
v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について | ゲート発信者の限界値ほら圧力は | i についてc について=24.0ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25ほらc について | 5.5 | 6.3 | 7.0 | v について |
i についてCES | 収集家ほら切る- わかったオフ流動 | v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25ほらc について | ほら | ほら | 1.0 | ママ |
i について総エネルギー | ゲート発射器の漏れほら流動 | v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について | ほら | ほら | 400 | ほら |
rゲント | 内部ゲート抵抗アンス | ほら | ほら | 0.5 | ほら | オー |
c についてほら | 入力容量 | v についてザ電気回路が25Vで,f=100KHzで,ほらv について遺伝子組み換え=0V | ほら | 51.5 | ほら | ロープ |
c についてレス | 逆転移転ほら容量 | ほら | 0.36 | ほら | ロープ | |
qg | ゲートチャージ | v について遺伝子組み換え=-15...+15V | ほら | 13.6 | ほら | 微分 |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=900A,わかったrg=0.51Ω, Ls=40nH,ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V, tj について=25ほらc について | ほら | 330 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 140 | ほら | NS | |
t消して | 切断するほら遅延時間 | ほら | 842 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 84 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替えほら損失 | ほら | 144 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断するほら損失 | ほら | 87.8 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=900A,わかったrg=0.51Ω, Ls=40nH,ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V, tj について=125 についてほらc について | ほら | 373 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 155 | ほら | NS | |
t消して | 切断するほら遅延時間 | ほら | 915 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 135 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替えほら損失 | ほら | 186 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断するほら損失 | ほら | 104 | ほら | ロープ | |
td( ありがとうございました)について) について | オンする遅延時間 | ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=900A,わかったrg=0.51Ω, Ls=40nH,ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V, tj について=175ほらc について | ほら | 390 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 172 | ほら | NS | |
t消して | 切断するほら遅延時間 | ほら | 950 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 162 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替えほら損失 | ほら | 209 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断するほら損失 | ほら | 114 | ほら | ロープ | |
ほら ほら i についてスコ | ほら ほら SC データ | tp≤8μs,v について遺伝子組み換え=15V tj について=150 についてほらC,Vcc=800Vほらv について単数ほら≤1200V | ほら | ほら 3200 | ほら | ほら a について |
tp≤6μsv について遺伝子組み換え=15V tj について=175ほらC,Vcc=800Vほらv について単数ほら≤1200V | ほら | ほら 3000 | ほら | ほら a について |
ダイオードほら特徴ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 |
ほら v についてf について | ダイオード 前向きほら圧力は | i についてf について=1000A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違う25ほらc について | ほら | 1.60 | 2.05 | ほら v について |
i についてf について=1000A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=125 についてほらc について | ほら | 1.70 | ほら | |||
i についてf について=1000A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=175ほらc について | ほら | 1.60 | ほら | |||
qr | 回収された電荷 | ほら v についてr=600V,If について=900A, -di/dt=4930A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtj について=25ほらc について | ほら | 91.0 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 441 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復ほらエネルギー | ほら | 26.3 | ほら | ロープ | |
qr | 回収された電荷 | ほら v についてr=600V,If について=900A, -di/dt=4440A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtj について=125 についてほらc について | ほら | 141 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 493 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復ほらエネルギー | ほら | 42.5 | ほら | ロープ | |
qr | 回収された電荷 | ほら v についてr=600V,If について=900A, -di/dt=4160A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtj について=175ほらc について | ほら | 174 | ほら | 微分 |
i についてロープ | ピーク逆 回復電流 | ほら | 536 | ほら | a について | |
e についてレス | 逆転回復ほらエネルギー | ほら | 52.4 | ほら | ロープ |
ほら
NTCほら特徴ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
r25 | 定数抵抗 | ほら | ほら | 5.0 | ほら | kΩ |
∆R/R | 偏差ほらについてほらr100 | tc について=100ほらほらc についてロープ100=493.3Ω | -5 | ほら | 5 | % |
p25 | 電力 消散 | ほら | ほら | ほら | 20.0 | mw |
b について25/50 | B値 | r2=R25経験[B25/501/T2- わかったほら半角形から | ほら | 3375 | ほら | k |
b について25/80 | B値 | r2=R25経験[B25/801/T2- わかったほら半角形から | ほら | 3411 | ほら | k |
b について25/100 | B値 | r2=R25経験[B25/1001/T2- わかったほら半角形から | ほら | 3433 | ほら | k |
ほら
模組ほら特徴ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | ポイント | タイプする | オーケー | ユニット |
わかったザ | 流れる誘導力 | ほら | 20 | ほら | ほら |
rCC+EE | モジュールリード抵抗,端末からチップ | ほら | 0.80 | ほら | mΩ |
ほら rthJF | 接合- わかったについて- わかった冷却ほら流体( ありがとうございました)perIGBT) について 接合から冷却液への (per Diオーデ)ほら△V/△t=10.0dm3/ わかったポイントほらtf について=75ほらc について | ほら | ほら | 0.066ほら0.092 | 総量 |
ロープ | 端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクロール M5 | 3.0ほら3.0 | ほら | 6.0ほら6.0 | ラング |
g | 体重ほらについてほら模組 | ほら | 400 | ほら | g |
ほら
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