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スーパージャンクションMOSFET（メタ酸化物半導体フィールド効果トランジスタ）は、従来のVDMOSを基盤として横方向電界制御を導入することにより、垂直方向の電界分布を理想的な矩形に近づけます。この構造により、エピタキシャル抵抗を同一に保ったまま、デバイスの耐圧が約20％向上します。この... 製品 同一の耐圧仕様において、スーパージャンクション技術を用いたデバイスの単位面積オン抵抗は、従来構造の1／8未満まで低減可能であり、オン状態特性とオフ状態特性の双方を協調的に最適化できます。
当社のスーパージャンクションMOSFETシリーズは、ディープトレンチ技術および多重エピタキシャル工程を用いて製造されており、オン抵抗およびゲート電荷が低いという特長を備えています。これにより、オン状態およびオフ状態での損失を大幅に低減し、高電力密度・高効率の電力電子変換システムに特に適しています。
スーパージャンクションMOSFETのOBC（車載充電器）への応用概要
スーパージャンクションMOSFETのOBC（車載充電器）への応用概要
電気自動車（EV）およびハイブリッド車両（HEV）の理想的な充電場所は、充電ステーションに限定されません。電力を供給できるあらゆる場所が充電場所として期待されています。車載充電器（OBC）とは、交流電源を車両バッテリー充電に必要な直流電源に変換する装置であり、家庭や 家庭 職場などでの充電を可能にします。その容量は充電電力および充電効率を決定し、ユーザー体験に直接影響を与えます。
