Moduli di potenza in carburo di silicio (SiC) della serie EK6 
Temperatura massima di giunzione di funzionamento: 175 ℃;
Elevata densità di potenza e basse perdite di commutazione;
Adatto per applicazioni ad alta temperatura e ad alta frequenza;
-
Gamma di parametri:
V Ds : 650–1700 V
S D : 100–400 A
Barra DS(ON) : 2,5–26 mΩ
Elenco dei prodotti della serie EK6
| Codice prodotto |
VDS |
RDS(on) a 25 ℃ |
ID |
| SCE400N1200EK6B |
1200V |
4 mΩ |
400A |
| SCE 300N1200EK6 |
1200V |
5,3 mΩ |
300A |
| SCE 300N1200EK6B |
1200V |
5,3 mΩ |
300A |
| SCE 200N1200EK6 |
1200V |
8 mΩ |
200A |
| SCE 100N1200EK6 |
1200V |
16 mΩ |
100A |
| SCE 100N1200EK6B |
1200V |
16 mΩ |
100A |
| SCE 200N1700EK6 |
di potenza superiore a 600 V |
13 mΩ |
200A |
| SCE 200N1700EK6F |
di potenza superiore a 600 V |
13 mΩ |
200A |
Modulo SiC, configurazione six-pack (trifase)
Il modulo SCE-MEK6 integra il MOSFET SiC a canale N di terza generazione da 1200 V di SCE. Sensore di temperatura NTC integrato
Caratteristiche
- Alta densità di corrente
- Progettazione a bassa induttanza
- Basse perdite di cambio
- Funzionamento ad alta frequenza
- Corrente di coda in interruzione pari a zero dal MOSFET
- Funzionamento normalmente spento e sicuro in caso di guasto
Applicazioni
- Applicazione con commutazione ad alta frequenza
- Convertitore CC/CC
- Caricatore dc per veicoli elettrici
- Saldatura
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V Ds |
Tensione Drain-Source |
- |
- |
1200 |
V |
V GS |
Tensione gate-sorgente |
-10 |
- |
+22 |
V |
S CC |
Continuo CC Corrente di scarico |
- |
400 |
- |
A |
S DRM |
Picco ripetitivo Scarico Cu renta |
- |
800 |
- |
A |
T op ; T sTG |
Intervallo di temperatura di funzionamento e di stoccaggio |
-40 |
- |
+150 |
。C |
L Stray |
Induttanza di deflusso |
- |
- |
20 |
nH |
V isolato |
Tensione di prova d’isolamento (f = 50 Hz; t = 1 min) |
- |
3.0 |
- |
kV |
M |
Coppia di serraggio per il fissaggio del modulo Vite M5 |
3.0 |
- |
6.0 |
Nm |
G |
Peso |
- |
300 |
- |
g |
Barra th JC |
Termica Resistenza, giunzione giunzione-al-dissipatore |
- |
0.12 |
- |
。C/W |
Assoluto Massimo Classificazioni (presso T C =25°C a meno che altrimenti specificato )
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
VDS |
Tensione Drain-Source |
- |
- |
1200 |
V |
VGs |
Tensione gate-sorgente |
-10 |
- |
+22 |
V |
IDC |
Corrente continua di scarica in CC |
- |
400 |
- |
A |
IDRM |
Corrente di picco ripetitiva di scarica |
- |
800 |
- |
A |
Superiore; Tstg |
Intervallo di temperatura di funzionamento e di stoccaggio |
-40 |
- |
+150 |
。C |
LStray |
Induttanza di deflusso |
- |
- |
20 |
nH |
Visol |
Tensione di prova di isolamento (f = 50 Hz; t = 1 min) |
- |
3.0 |
- |
kV |
M |
Coppia di serraggio per il fissaggio del modulo, vite M5 |
3.0 |
- |
6.0 |
Nm |
G |
Peso |
- |
300 |
- |
g |
Rth JC |
Resistenza termica, giunzione-verso-dissipatore |
- |
0.12 |
- |
。C/W |
EN
