Modulo IGBT, GD1000HFA75N5HT Starpower

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

750

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

ICN

Collettore Cu implementato renta

1000

A

IC

Collettore Corrente T vj =175o C

680

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1360

A

PD

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75o C T vj =175o C

1086

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

750

V

IFN

Collettore Cu implementato renta

1000

A

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

680

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1360

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=680A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.25

1.50

V

IC=680A,V GE = 15V, T vj =150o C

1.35

IC=680A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.40

IC=1000A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.45

IC=1000A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.70

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=9.60mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

IC=9.60mA ,V CE =V GE , T vj =175o C

3.5

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

1.0

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

C- Non

Capacità di uscita

1.51

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.32

nF

DG

Importo della porta

V CE =400V, IC=680A, V GE =-10…+15V

4.10

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C=680A, Barra G=0.22Ω, LS =16nH ,V GE =-10V/+15V,

T vj =25o C

196

nS

t barra

Tempo di risalita

50

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

407

nS

t f

Tempo di caduta

125

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

11.1

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

29.1

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C=680A, Barra G=0.22Ω, LS =16nH ,V GE =-10V/+15V,

T vj =150o C

222

nS

t barra

Tempo di risalita

63

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

471

nS

t f

Tempo di caduta

178

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

19.7

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

37.4

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C=680A, Barra G=0.22Ω, LS =16nH ,V GE =-10V/+15V,

T vj =175o C

224

nS

t barra

Tempo di risalita

68

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

490

nS

t f

Tempo di caduta

194

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

21.7

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

39.5

mJ

ISC

Dati SC

t P≤ 6 μs,V GE = 15V,

4000

A

T vj =25o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

t P≤3μs,V GE = 15V,

T vj =175o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =680A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =680A,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

IF =680A,V GE =0V,T vj =175o C

1.55

IF =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

IF =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

Dbarra

Importo recuperato

V Barra =400V,I F =680A,

-di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, LS =16nH ,T vj =25o C

19.9

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

458

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

6.10

mJ

Dbarra

Importo recuperato

V Barra =400V,I F =680A,

-di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, LS =16nH ,T vj =150o C

29.7

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

504

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

9.70

mJ

Dbarra

Importo recuperato

V Barra =400V,I F =680A,

-di/dt=11740A/μs,V GE =-10V, LS =16nH ,T vj =175o C

34.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

526

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

11.0

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

Barra

Nominale Resistenza

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Coefficiente di Temperatura nt

0.38

%/K

T S

Auto Riscaldamento

T C=0 o C

Im =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

LCE

Induttanza di deflusso

5

nH

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

2.5

barra

Barra thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △V/ △t=8.0 dm 3/mIN ,T F =65o C

0.080 0.115

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vattone M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.M

G

Peso di Modulo

220

g