Modulo IGBT, GD1000HFA75N5HT Starpower

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

750

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io CN

Collettore Cu implementato renta

1000

A

Io C

Collettore Corrente T vj = 175 o C

680

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1360

A

P P

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75 o C T vj = 175 o C

1086

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

750

V

Io FN

Collettore Cu implementato renta

1000

A

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

680

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1360

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =680A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.25

1.50

V

Io C =680A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

1.35

Io C =680A,V GE = 15V, T vj = 175 o C

1.40

Io C =1000A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.45

Io C =1000A,V GE = 15V, T vj = 175 o C

1.70

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.5

6.5

7.0

V

Io C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj = 175 o C

3.5

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

1.0

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

C - Non

Capacità di uscita

1.51

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.32

nF

Q G

Importo della porta

V CE =400V, Io C =680A, V GE =-10…+15V

4.10

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V,

T vj = 25 o C

196

nS

t r

Tempo di risalita

50

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

407

nS

t f

Tempo di caduta

125

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

11.1

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

29.1

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V,

T vj = 150 o C

222

nS

t r

Tempo di risalita

63

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

471

nS

t f

Tempo di caduta

178

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

19.7

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

37.4

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C =680A, R G =0.22Ω, L S =16 nH , V GE =-10V/+15V,

T vj = 175 o C

224

nS

t r

Tempo di risalita

68

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

490

nS

t f

Tempo di caduta

194

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

21.7

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

39.5

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 6 μs,V GE = 15V,

4000

A

T vj = 25 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

t P ≤3μs,V GE = 15V,

T vj = 175 o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =680A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.05

V

Io F =680A,V GE =0V,T vj = 150 o C

1.60

Io F =680A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.55

Io F =1000A,V GE =0V,T vj = 25 o C

1.80

Io F =1000A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.75

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F =680A,

-di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,T vj = 25 o C

19.9

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

458

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

6.10

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F =680A,

-di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, L S =16 nH ,T vj = 150 o C

29.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

504

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

9.70

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F =680A,

-di/dt=11740A/μs,V GE - Sì. 10V, L S =16 nH ,T vj = 175 o C

34.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

526

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

11.0

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R

Nominale Resistenza

T C =0 o C

T C = 150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Coefficiente di Temperatura nt

0.38

%/K

T S

Auto Riscaldamento

T C =0 o C

Io m =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

5

nH

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

2.5

bar

R thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=8.0 dm 3/min ,T F =65 o C

0.080 0.115

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vattone M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.M

G

Peso di Modulo

220

g