GD600HFY120C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

1090

600

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

3947

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

600

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =600A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.70

2.15

V

Io C =600A,V GE = 15V, T j = 125 o C

1.90

Io C =600A,V GE = 15V, T j = 150 o C

1.95

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.2

5.8

6.4

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.7

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

62.1

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.74

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

4.62

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C

136

nS

t r

Tempo di risalita

77

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

494

nS

t f

Tempo di caduta

72

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

53.1

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

48.4

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω,V GE =± 15V, T j = 125 o C

179

nS

t r

Tempo di risalita

77

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

628

nS

t f

Tempo di caduta

113

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

70.6

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

74.2

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω,V GE =± 15V, T j = 150 o C

179

nS

t r

Tempo di risalita

85

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

670

nS

t f

Tempo di caduta

124

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

76.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

81.9

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =600A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.95

2.40

V

Io F =600A,V GE =0V,T j = 125 o C

2.05

Io F =600A,V GE =0V,T j = 150 o C

2.10

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

- di/dt=4300A/μs,V GE - Sì. 15 V, T j = 25 o C

58.9

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

276

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

20.9

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

- di/dt=4300A/μs,V GE - Sì. 15 V, T j = 125 o C

109

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

399

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

41.8

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

- di/dt=4300A/μs,V GE - Sì. 15 V, T j = 150 o C

124

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

428

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

48.5

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

δR/R

Deviazione di R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.038

0.066

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.028

0.049

0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g