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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD600HFX120C6HA, Modulo IGBT, STARPOWER

1200V 600A,C6.1

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD600HFX120C6HA
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 600A. - Sì.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Veicolo ibrido ed elettrico
  • Invertitori per motori
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

1108

600

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

4054

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

600

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =600A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.70

2.15

V

Io C =600A,V GE = 15V, T j = 125 o C

1.90

Io C =600A,V GE = 15V, T j = 150 o C

1.95

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

0.7

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

62.1

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

1.74

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15...+15V

4.62

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V GE = ± 15V,T j = 25 o C

266

nS

t r

Tempo di risalita

82

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

400

nS

t f

Tempo di caduta

192

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

65.7

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

52.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V GE = ± 15V,T j = 125 o C

282

nS

t r

Tempo di risalita

94

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

448

nS

t f

Tempo di caduta

290

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

96.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

67.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V GE = ± 15V,T j = 150 o C

286

nS

t r

Tempo di risalita

94

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

459

nS

t f

Tempo di caduta

299

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

107

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

70.3

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =600A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.95

2.40

V

Io F =600A,V GE =0V,T j =1 25o C

2.05

Io F =600A,V GE =0V,T j =1 50o C

2.10

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=5500A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j = 25 o C

23.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

260

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

11.7

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=4700A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j = 125 o C

65.1

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

293

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

26.4

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=4600A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j = 150 o C

76.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

306

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

30.6

mJ

NTC Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R ilJC

Giunti -to -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.037 0.065

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Cassa-sink (per Modulo)

0.028 0.050 0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g

Outline

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