GD150HFU120C8SD, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C = 85 o C

238

150

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

300

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 150 o C

1237

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

150

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

300

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

150

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =150A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

2.90

3.35

V

Io C =150A,V GE = 15V, T vj = 125 o C

3.60

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.0

6.1

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.50

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.60

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15...+15V

1.83

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =150A, R G =6,8Ω, Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj = 25 o C

183

nS

t r

Tempo di risalita

73.8

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

438

nS

t f

Tempo di caduta

33.0

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

12.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

5.31

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =150A, R G =6,8Ω, Ls=35nH, V GE = ± 15V,T vj = 125 o C

185

nS

t r

Tempo di risalita

74

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

476

nS

t f

Tempo di caduta

44.5

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

15.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

7.74

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj = 125 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

975

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =150A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Io F =150A,V GE =0V,T vj = 125 o C

1.90

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs, Ls=35nH, V GE = 15 V, T vj = 25 o C

11.9

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

113

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

4.02

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs, Ls=35nH, V GE = 15 V, T vj = 125 o C

22.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

139

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

8.58

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.101 0.257

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.028 0.071 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g