Moduli di tiristore a spegnimento rapido

MK(H)x150 MK150 ,Moduli di Tirostato a Spegnimento Rapido,Raffreddamento ad Aria

150A,600V~1800V,413F3D

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H)x150 MK150

Appurtenance:

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Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Moduli di tiristore a spegnimento rapido ,MK(H) x200 MK200, 200A, Raffreddamento ad aria ,prodotto da TECHSEM.

VRRM,VDRM	Tipo e contorno
600V	MKx150-06-413F3D	MHx150-06-413F3D
800V	MKx150-08-413F3D	MHx150-08-413F3D
1000V	MKx150-10-413F3D	MHx150-10-413F3D
1200V	MKx150-12-413F3D	MHx150-12-413F3D
1400V	MKx150-14-413F3D	MHx150-14-413F3D
1600V	MKx150-16-413F3D	MHx150-16-413F3D
1800V	MKx150-18-413F3D	MHx150-18-413F3D
1800V	MK150-18-413F3DG

MKx sta per qualsiasi tipo di MKC, MKA, MKK

MHx sta per qualsiasi tipo di MHC, MHA, MHK

Caratteristiche ：

Montaggio isolato basso e 2500V~
Tecnologia di contatto a pressione con Aumentato capacità di ciclo di potenza
Spazio e peso sa - Ving

Applicazioni tipiche ：

Inverter
Calore induttivo
Chopper

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	Valore			Unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	Min	TIPO	Max	Unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180° mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato da un lato,Tc=85 ℃	125			150	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS		125			236	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			50	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM	125			3.4	kA
I2t	I2t per coordinazione fusibile	onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM	125			58	10³A ²s
VTO	Voltaggio di soglia		125			1.78	V
rT	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			0.70	m
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=450A	25			2.65	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			200	A/μs
tq	Tempo di spegnimento commutato da circuito	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
tq	Tempo di spegnimento commutato da circuito	ITM=200A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA= 12V, IA= 1A	25	30		180	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		2.5	V
IH	Corrente di mantenimento			20		200	mA
IL	Corrente di aggancio					1000	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM= 67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Raffreddato da un lato per chip				0.130	℃ /W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Raffreddato da un lato per chip				0.030	℃ /W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
FM	Torsione di collegamento terminale ((M8)			10.0		12.0	N·m
FM	Coppia di montaggio (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Temperatura di giunzione			-40		125	℃
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	℃
Wt	Peso				770		g
Outline	413F3D