GD600HFX120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

Tensione transitorio del portatore-emettitore

±20

± 30

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C =90 o C

873

600

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

2727

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

600

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =600A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.75

2.20

V

Io C =600A,V GE = 15V, T j = 125 o C

2.00

Io C =600A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.05

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

0.7

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

55.9

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.57

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

4.20

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G = 1,5Ω

- Sì, sì. S =34nH, V GE = ± 15V,T j = 25 o C

109

nS

t r

Tempo di risalita

62

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

469

nS

t f

Tempo di caduta

68

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

42.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

46.0

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω,

L S = 34 nH ,

V GE = ± 15V,T j = 125 o C

143

nS

t r

Tempo di risalita

62

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

597

nS

t f

Tempo di caduta

107

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

56.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

70.5

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R G =1.5Ω,

L S = 34 nH ,

V GE = ± 15V,T j = 150 o C

143

nS

t r

Tempo di risalita

68

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

637

nS

t f

Tempo di caduta

118

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

61.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

77.8

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =600A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.95

2.40

V

Io F =600A,V GE =0V,T j =1 25o C

2.05

Io F =600A,V GE =0V,T j =1 50o C

2.10

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

- di/dt=4300A/μs,V GE - Sì. 15 V, L S = 34 nH ,T j = 25 o C

58.9

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

276

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

20.9

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

- di/dt=4300A/μs,V GE - Sì. 15 V, L S = 34 nH ,T j = 125 o C

109

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

399

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

41.8

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

- di/dt=4300A/μs,V GE - Sì. 15 V, L S = 34 nH ,T j = 150 o C

124

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

428

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

48.5

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.055

0.089

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Caso-a-Radiatore (pe r Diode)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.032

0.052

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g