GD400HFX120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C =90 o C

595

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p = 1 millisecondo

800

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

1875

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

800

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15 V, T j = 25 o C

1.75

2.20

V

Io C = 400 A,V GE = 15 V, T j = 125 o C

2.00

Io C = 400 A,V GE = 15 V, T j = 150 o C

2.05

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 10.0mA,V CE =V GE , T j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

37.3

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.04

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

2.80

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2,0Ω,

V GE =± 15V, T j = 25 o C

205

nS

t r

Tempo di risalita

77

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

597

nS

t f

Tempo di caduta

98

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

18.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

32.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2,0Ω,

V GE =± 15V, T j = 125o C

214

nS

t r

Tempo di risalita

86

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

626

nS

t f

Tempo di caduta

137

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

28.4

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

48.9

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2,0Ω,

V GE =± 15V, T j = 150o C

198

nS

t r

Tempo di risalita

94

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

646

nS

t f

Tempo di caduta

147

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

30.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

53.8

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15 V,

T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1440

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.75

2.15

V

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

40

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

299

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

20.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125o C

70

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

399

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

38.4

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 150o C

80

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

419

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

43.9

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

15

nH

R CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip

0.25

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.080

0.095

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.037

0.044

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g