GD50PIX170C6SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

100

50

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

100

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

384

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

50

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

100

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1600

V

Io O

Corrente di uscita media 5 0Hz/60Hz, onda sinusoidale

50

A

Io FSM

Corrente di Surrogazione in Avanti V R =0V,T p =10ms,T j =45 o C

850

A

Io 2t

Io 2valore t,V R =0V,T p =10m s,T j =45 o C

3610

A 2s

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

100

50

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

100

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

384

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

50

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

100

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura Massima del Giunzione (inverter, freno) Temperatura massima della giunzione (rettificatore)

175

150

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =50A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.85

2.20

V

Io C =50A,V GE = 15V, T j = 125 o C

2.25

Io C =50A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resis interna della porta - Sotto il mio nome.

9.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

6.02

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.15

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C

163

nS

t r

Tempo di risalita

44

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

290

nS

t f

Tempo di caduta

347

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

12.7

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

7.28

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V GE =± 15V, T j = 125 o C

186

nS

t r

Tempo di risalita

51

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

361

nS

t f

Tempo di caduta

535

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

17.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

11.1

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V GE =± 15V, T j = 150 o C

192

nS

t r

Tempo di risalita

52

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

374

nS

t f

Tempo di caduta

566

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

20.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

12.0

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =50A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.80

2.25

V

Io F =50A,V GE =0V,T j = 125 o C

1.95

Io F =50A,V GE =0V,T j = 150 o C

1.90

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =50A,

-di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V T j = 25 o C

11.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

48

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

6.08

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =50A,

-di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V T j = 125 o C

20.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

52

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

11.4

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =50A,

-di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V T j = 150 o C

23.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

54

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

13.1

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =50A, V GE =0V, T j = 150 o C

1.14

V

Io R

Corrente inversa

T j = 150 o C,V R =1600V

3.0

mA

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =50A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.85

2.20

V

Io C =50A,V GE = 15V, T j = 125 o C

2.25

Io C =50A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

9.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

6.02

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.15

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C

163

nS

t r

Tempo di risalita

44

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

290

nS

t f

Tempo di caduta

347

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

12.7

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

7.28

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V GE =± 15V, T j = 125 o C

186

nS

t r

Tempo di risalita

51

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

361

nS

t f

Tempo di caduta

535

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

17.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

11.1

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V GE =± 15V, T j = 150 o C

192

nS

t r

Tempo di risalita

52

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

374

nS

t f

Tempo di caduta

566

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

20.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

12.0

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =50A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.80

2.25

V

Io F =50A,V GE =0V,T j = 125 o C

1.95

Io F =50A,V GE =0V,T j = 150 o C

1.90

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =50A,

-di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V T j = 25 o C

11.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

48

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

6.08

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =50A,

-di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V T j = 125 o C

20.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

52

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

11.4

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =50A,

-di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V T j = 150 o C

23.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

54

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

13.1

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

60

nH

R CC+EE R AA + CC ’

Resistenza di Contatto del Modulo nce,Terminal to Chip

4.00 2.00

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT -inverter ) Giunzione-a-Caratteristica (per invertitore DIODE er) Giunzione-Caso (per Diode-rettificatore ) Giunti -a -Caso (perIGBT -freno )

Giunzione-Caso (per Diode-freno rompere)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

C/W

R thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT -inverter )Caso-Dissipatore di calore (per Diode-inverter) ) Caso-Dissipatore di calore (per Diode-rettificatore) ) Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT -freno )

Caso-Dissipatore (per Dio de-freno) Cassa-sink (per Modulo)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

C/W

M

Torsione di montaggio Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4.

3.0

6.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g