Modulo IGBT, 1700V 150A
Breve introduzione
Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1700V 150A. - Sì.
Caratteristiche
Applicazioni tipiche
Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1700 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
Io C |
Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C |
281 150 |
A |
Io CM |
Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms |
300 |
A |
P P |
Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C |
1136 |
W |
Diodo
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
V RRM |
Volt inverso di picco ripetitivo età |
1700 |
V |
Io F |
Diode Corrente continua in avanti Cu renta |
150 |
A |
Io FM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
300 |
A |
Modulo
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
T vjmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
o C |
T vjop |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +150 |
o C |
T STG |
Intervallo di temperatura di conservazione |
-40 a +125 |
o C |
V ISO |
Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min |
4000 |
V |
IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
Io C =150A,V GE = 15V, T vj = 25 o C |
|
1.85 |
2.20 |
V |
Io C =150A,V GE = 15V, T vj = 125 o C |
|
2.25 |
|
|||
Io C =150A,V GE = 15V, T vj = 150 o C |
|
2.35 |
|
|||
V GE (th ) |
Limita di emissione della porta Tensione |
Io C =6.00 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Io CES |
Collettore Taglio -OFF Corrente |
V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C |
|
|
5.0 |
mA |
Io GES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistenza interna della porta |
|
|
4.3 |
|
ω |
C ies |
Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
|
18.1 |
|
nF |
C res |
Trasferimento inverso Capacità |
|
0.44 |
|
nF |
|
Q G |
Importo della porta |
V GE =-15 ...+15V |
|
1.41 |
|
μC |
t p (oN ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC =900V,I C =150A, R G =0.51Ω,V GE =± 15V, LS = 48 nH ,T vj = 25 o C |
|
206 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
44 |
|
nS |
|
t d ((off) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
337 |
|
nS |
|
t f |
Tempo di caduta |
|
331 |
|
nS |
|
E oN |
Accendere Commutazione Perdita |
|
39.5 |
|
mJ |
|
E oFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
21.7 |
|
mJ |
|
t p (oN ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC =900V,I C =150A, R G =0.51Ω,V GE =± 15V, LS = 48 nH ,T vj = 125 o C |
|
232 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
54 |
|
nS |
|
t d ((off) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
422 |
|
nS |
|
t f |
Tempo di caduta |
|
514 |
|
nS |
|
E oN |
Accendere Commutazione Perdita |
|
55.3 |
|
mJ |
|
E oFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
32.7 |
|
mJ |
|
t p (oN ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC =900V,I C =150A, R G =0.51Ω,V GE =± 15V, LS = 48 nH ,T vj = 150 o C |
|
239 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
57 |
|
nS |
|
t d ((off) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
442 |
|
nS |
|
t f |
Tempo di caduta |
|
559 |
|
nS |
|
E oN |
Accendere Commutazione Perdita |
|
60.8 |
|
mJ |
|
E oFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
34.9 |
|
mJ |
|
Io SC |
Dati SC |
t P ≤10μs, V GE = 15V, T vj = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V |
|
600 |
|
A |
Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V F |
Diodo di avanzamento Tensione |
Io F =150A,V GE =0V,T vj =2 5o C |
|
1.80 |
2.25 |
V |
Io F =150A,V GE =0V,T vj = 125 o C |
|
1.95 |
|
|||
Io F =150A,V GE =0V,T vj = 150 o C |
|
1.90 |
|
|||
Q r |
Importo recuperato |
V R =900V,I F =150A, -di⁄dt=2464A⁄μs,V GE = 15V LS = 48 nH ,T vj = 25 o C |
|
42.8 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso Corrente di recupero |
|
142 |
|
A |
|
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
22.3 |
|
mJ |
|
Q r |
Importo recuperato |
V R =900V,I F =150A, -di⁄dt=1956A⁄μs,V GE = 15V LS = 48 nH ,T vj = 125 o C |
|
64.7 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso Corrente di recupero |
|
147 |
|
A |
|
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
35.0 |
|
mJ |
|
Q r |
Importo recuperato |
V R =900V,I F =150A, -di⁄dt=1795A⁄μs,V GE = 15V LS = 48 nH ,T vj = 150 o C |
|
72.0 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso Corrente di recupero |
|
148 |
|
A |
|
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
38.8 |
|
mJ |
Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
L CE |
Induttanza di deflusso |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R ilJC |
Giunti -to -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo) |
|
|
0.132 0.209 |
C/W |
R thCH |
Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo) |
|
0.029 0.047 0.009 |
|
C/W |
M |
Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Peso di Modulo |
|
350 |
|
g |
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