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Modulo IGBT 1700V

Modulo IGBT 1700V

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GD150HCX170C6SA , Modulo IGBT, STARPOWER

Modulo IGBT, 1700V 150A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD150HCX170C6SA
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1700V 150A. - Sì.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

281

150

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

300

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C

1136

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

150

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

300

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =150A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.85

2.20

V

Io C =150A,V GE = 15V, T vj = 125 o C

2.25

Io C =150A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =6.00 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

4.3

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.44

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =150A, R G =0.51Ω,V GE =± 15V, LS = 48 nH ,T vj = 25 o C

206

nS

t r

Tempo di risalita

44

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

337

nS

t f

Tempo di caduta

331

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

39.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

21.7

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =150A, R G =0.51Ω,V GE =± 15V, LS = 48 nH ,T vj = 125 o C

232

nS

t r

Tempo di risalita

54

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

422

nS

t f

Tempo di caduta

514

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

55.3

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

32.7

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =150A, R G =0.51Ω,V GE =± 15V, LS = 48 nH ,T vj = 150 o C

239

nS

t r

Tempo di risalita

57

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

442

nS

t f

Tempo di caduta

559

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

60.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

34.9

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

600

A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =150A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

Io F =150A,V GE =0V,T vj = 125 o C

1.95

Io F =150A,V GE =0V,T vj = 150 o C

1.90

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =150A,

-di⁄dt=2464A⁄μs,V GE = 15V LS = 48 nH ,T vj = 25 o C

42.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

142

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

22.3

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =150A,

-di⁄dt=1956A⁄μs,V GE = 15V LS = 48 nH ,T vj = 125 o C

64.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

147

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

35.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =150A,

-di⁄dt=1795A⁄μs,V GE = 15V LS = 48 nH ,T vj = 150 o C

72.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

148

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

38.8

mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

1.10

R ilJC

Giunti -to -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.132 0.209

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.029 0.047 0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g

Outline

image(c537ef1333).png

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