GD900SGX120C2SA_B20,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

1410

900

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1800

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T = 175 o C

5000

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 900 A, V GE = 15V, T j = 25 o C

1.80

2.25

V

Io C = 900 A, V GE = 15V, T j = 125 o C

2.10

Io C = 900 A, V GE = 15V, T j = 150 o C

2.15

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 22,5 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.6

ω

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15V... +15V

7.40

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A,

R Gon = 1,5Ω,R Goff = 0,9Ω, V GE = ± 15V,T j = 25 o C

257

nS

t r

Tempo di risalita

96

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

628

nS

t f

Tempo di caduta

103

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

43

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

82

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A,

R Gon = 1,5Ω,R Goff = 0,9Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125o C

268

nS

t r

Tempo di risalita

107

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

659

nS

t f

Tempo di caduta

144

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

59

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

118

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A,

R Gon = 1,5Ω,R Goff = 0,9Ω,

V GE = ± 15V,T j = 150o C

278

nS

t r

Tempo di risalita

118

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

680

nS

t f

Tempo di caduta

155

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

64

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

134

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V,

V CEM ≤ 1200V

3600

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 900 A, V GE =0V,T j = 25 o C

1.71

2.16

V

Io F = 900 A, V GE =0V,T j = 125o C

1.74

Io F = 900 A, V GE =0V,T j = 150o C

1.75

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

- di/dt=6000A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

76

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

513

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

38.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

- di/dt=6000A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125o C

143

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

684

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

71.3

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

- di/dt=6000A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 150o C

171

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

713

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

80.8

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.18

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.030

0.052

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.016

0.027

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g