GD900SGF120A3SN,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

1466

900

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1800

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C

5.34

kw

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

900

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1800

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C = 900 A, V GE = 15V, T vj = 25 o C

2.00

2.45

V

Io C = 900 A, V GE = 15V, T vj = 125 o C

2.50

Io C = 900 A, V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.65

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =32.0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.44

ω

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj = 25 o C

520

nS

t r

Tempo di risalita

127

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

493

nS

t f

Tempo di caduta

72

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

76.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

85.0

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj = 125 o C

580

nS

t r

Tempo di risalita

168

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

644

nS

t f

Tempo di caduta

89

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

127

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

98.5

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj = 150 o C

629

nS

t r

Tempo di risalita

176

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

676

nS

t f

Tempo di caduta

96

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

134

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

99.0

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F = 900 A, V GE =0V,T vj =2 5o C

1.95

2.40

V

Io F = 900 A, V GE =0V,T vj = 125 o C

2.00

Io F = 900 A, V GE =0V,T vj = 150 o C

2.05

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj = 25 o C

80

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

486

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

35.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj = 125 o C

153

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

510

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

64.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj = 150 o C

158

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

513

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

74.0

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

12

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.19

mΩ

R ilJC

Giunti -to -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

28.1 44.1

K/kW

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Cassa-sink (per Modulo)

9.82 15.4 6.0

K/kW

M

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Torsione di connessione terminale, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Peso di Modulo

1050

g