Modulo IGBT 1200V

GD900HFX120P1SA,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 900A, Confezione:P1

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD900HFX120P1SA

Introduzione
Outline

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 900A.

Caratteristiche

Bassa V CE (seduto ) Trincea IGBT tECNOLOGIA
10 μs capacita' di cortocircuito ilità
V CE (seduto ) con positivo temperatura coefficiente
Massimo temperatura di giunzione 175o C
Induttanza bassa caso
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Alta potenza e capacità di ciclo termico tà

Tipico Applicazioni

Convertitore ad alta potenza
Energia solare
Veicolo ibrido ed elettrico

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C = 100o C	1522 900	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	1800	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C	5.24	kw

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1200	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	900	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	1800	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C = 900 A, V GE = 15V, T j = 25 o C		1.70	2.15	V
		Io C = 900 A, V GE = 15V, T j = 125 o C		1.95
		Io C = 900 A, V GE = 15V, T j = 150 o C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 22,5 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.2	6.0	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			0.63		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		93.2		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		2.61		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15 ﹍+15V		6.99		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 900A, R G =1.6Ω, V GE =± 15V, T j = 25 o C		214		nS
t r	Tempo di risalita			150		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			721		nS
t f	Tempo di caduta			206		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			76		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			128		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 900A, R G =1.6Ω, V GE =± 15V, T j = 125 o C		235		nS
t r	Tempo di risalita			161		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			824		nS
t f	Tempo di caduta			412		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			107		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			165		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 900A, R G =1.6Ω, V GE =± 15V, T j = 150 o C		235		nS
t r	Tempo di risalita			161		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			876		nS
t f	Tempo di caduta			464		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			112		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			180		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		3600		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F = 900 A, V GE =0V,T j = 25 o C		1.90	2.25	V
		Io F = 900 A, V GE =0V,T j = 125o C		1.85
		Io F = 900 A, V GE =0V,T j = 150o C		1.80
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 900A, -di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j = 25 o C		86		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			475		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			36.1		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 900A, -di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j = 125o C		143		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			618		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			71.3		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 900A, -di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j = 150o C		185		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			665		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			75.1		mJ

NTC Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
δR/R	Deviazione di R 100	T C = 100 o C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		18		nH
R CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.30		mΩ
R ilJC	Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)			28.6 51.9	K/kW
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)		14.0 25.3 4.5		K/kW
M	Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vattone M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10 6.0	N.M
G	Peso di Modulo		825		g