GD900HFX120P1SA,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1522

900

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1800

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

5.24

kw

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

IF

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

900

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1800

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di stoccaggio Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC= 900 A, V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC= 900 A, V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC= 900 A, V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=22.5mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF

Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.63

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

93.2

nF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

2.61

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ﹍+15V

6.99

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 900A, Barra G=1.6Ω,

V GE =± 15V, T j =25o C

214

nS

t barra

Tempo di risalita

150

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

721

nS

t f

Tempo di caduta

206

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

76

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

128

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 900A, Barra G=1.6Ω,

V GE =± 15V, T j =125o C

235

nS

t barra

Tempo di risalita

161

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

824

nS

t f

Tempo di caduta

412

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

107

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

165

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C= 900A, Barra G=1.6Ω,

V GE =± 15V, T j =150o C

235

nS

t barra

Tempo di risalita

161

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

876

nS

t f

Tempo di caduta

464

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

112

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

180

mJ

ISC

Dati SC

t P≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

3600

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

IF = 900 A, V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.25

V

IF = 900 A, V GE =0V,T j = 125o C

1.85

IF = 900 A, V GE =0V,T j = 150o C

1.80

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j =25o C

86

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

475

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

36.1

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j = 125o C

143

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

618

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

71.3

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V T j = 150o C

185

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

665

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

75.1

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

δR/R

Deviazione di Barra 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

18

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.30

mΩ

Barra ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

28.6

51.9

K/kW

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

14.0

25.3

4.5

K/kW

M

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vattone M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.M

G

Peso di Modulo

825

g