GD800HFA120C6SD,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C =100 o C

800

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1600

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C

4687

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

900

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1800

A

Io FSM

Corrente di Surge in Avanti t p =10ms @ T vj = 12 5o C @ T vj = 175 o C

2392

2448

A

Io 2t

Io 2t- valore ,t p =10 mS @ T vj = 125 o C @ T vj = 175 o C

28608

29964

A 2s

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C = 800 A, V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.40

1.85

V

Io C = 800 A, V GE = 15V, T vj = 125 o C

1.60

Io C = 800 A, V GE = 15V, T vj = 175 o C

1.60

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.5

6.3

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

28.4

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.15

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15...+15V

2.05

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, R G =0.5Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V,

T vj = 25 o C

168

nS

t r

Tempo di risalita

78

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

428

nS

t f

Tempo di caduta

123

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

43.4

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

77.0

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A,

R G =0.5Ω, L S = 40nH,

V GE =-8V/+15V,

T vj = 125 o C

172

nS

t r

Tempo di risalita

84

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

502

nS

t f

Tempo di caduta

206

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

86.3

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

99.1

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A,

R G =0.5Ω, L S = 40nH,

V GE =-8V/+15V,

T vj = 175 o C

174

nS

t r

Tempo di risalita

90

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

531

nS

t f

Tempo di caduta

257

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

99.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

105

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤8μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,

V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

t P ≤6μs, V GE = 15V,

T vj = 175 o C,

V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F = 900 A, V GE =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.00

V

Io F = 900 A, V GE =0V,T vj = 125 o C

1.60

Io F = 900 A, V GE =0V,T vj = 175 o C

1.50

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE = 8V, L S = 40 nH ,T vj = 25 o C

47.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

400

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

13.6

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE = 8V, L S = 40 nH ,T vj = 125 o C

82.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

401

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

26.5

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE = 8V, L S = 40 nH ,T vj = 175 o C

110

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

413

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

34.8

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K