GD75PFX170C6SG, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

139

75

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

150

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

559

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

75

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

150

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

2000

V

IO

Corrente di uscita media 5 0Hz/60Hz, onda sinusoidale

75

A

IFSM

Corrente di Surge in Avanti t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

1440

1206

A

I2t

I2valore t, t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

10368

7272

A2s

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima della giunzione (inverter) Temperatura massima della giunzione (rettificatore)

175

150

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=75A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=75A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

8.5

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.22

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=75A, Barra G=6,8Ω,V GE =± 15V, LS =46nH ,T vj =25o C

236

nS

t barra

Tempo di risalita

42

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

356

nS

t f

Tempo di caduta

363

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

17.3

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

11.7

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=75A, Barra G=6,8Ω,V GE =± 15V, LS =46nH ,T vj =125o C

252

nS

t barra

Tempo di risalita

48

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

420

nS

t f

Tempo di caduta

485

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

27.1

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

16.6

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=75A, Barra G=6,8Ω,V GE =± 15V, LS =46nH ,T vj =150o C

275

nS

t barra

Tempo di risalita

50

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

432

nS

t f

Tempo di caduta

524

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

27.9

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

17.7

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

,

V CEM ≤1700V

300

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V GE = 15V LS =46nH ,T vj =25o C

10.3

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

84

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

7.44

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V GE =-15V LS =46nH ,T vj =125o C

20.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

87

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

16.1

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V GE = 15V LS =46nH ,T vj =150o C

22.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

97

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

19.2

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IC=75A, T vj =150o C

0.95

V

IBarra

Corrente inversa

T vj =150o C,V Barra =2000V

3.0

mA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di Barra 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT -inverter ) Giunzione-a-Caratteristica (per invertitore DIODE er) Giunzione-Caso (per Diode-rettificatore )

0.268 0.481 0.289

C/W

Barra thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT -inverter )Caso-Dissipatore di calore (per Diode-inverter) )Caso-Dissipatore di calore (per Diode-rettificatore) )Cassa-sink (per Modulo)

0.106 0.190 0.114 0.009

C/W

M

Torsione di montaggio Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4.

3.0

6.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g