GD75PFX170C6SG, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1700V 75A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT-inverter

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	139 75	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	150	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C	559	W

DIOD-inverter

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1700	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	75	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	150	A

Diode-rettificatrice

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	2000	V
Io O	Corrente di uscita media 5 0Hz/60Hz, onda sinusoidale	75	A
Io FSM	Corrente di Surge in Avanti t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj = 150 o C	1440 1206	A
Io 2t	Io 2valore t, t p =10ms @ T vj = 25 o C @ T vj = 150 o C	10368 7272	A 2s

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T vjmax	Temperatura massima della giunzione (inverter) Temperatura massima della giunzione (rettificatore)	175 150	o C
T vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -inverter Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =75A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.85	2.20	V
		Io C =75A,V GE = 15V, T vj = 125 o C		2.25
		Io C =75A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			8.5		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		9.03		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.22		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		0.71		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =75A, R G =6,8Ω,V GE =± 15V, L S =46 nH ,T vj = 25 o C		236		nS
t r	Tempo di risalita			42		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			356		nS
t f	Tempo di caduta			363		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			17.3		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			11.7		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =75A, R G =6,8Ω,V GE =± 15V, L S =46 nH ,T vj = 125 o C		252		nS
t r	Tempo di risalita			48		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			420		nS
t f	Tempo di caduta			485		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			27.1		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			16.6		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =75A, R G =6,8Ω,V GE =± 15V, L S =46 nH ,T vj = 150 o C		275		nS
t r	Tempo di risalita			50		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			432		nS
t f	Tempo di caduta			524		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			27.9		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			17.7		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T vj = 150 o C ,V CC =1000V , V CEM ≤1700V		300		A

Diodo -inverter Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =75A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.80	2.25	V
		Io F =75A,V GE =0V,T vj = 12 5o C		1.90
		Io F =75A,V GE =0V,T vj =15 0o C		1.95
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F =75A, -di/dt=1290A/μs,V GE = 15V L S =46 nH ,T vj = 25 o C		10.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			84		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			7.44		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F =75A, -di/dt=1100A/μs,V GE - Sì. 15V L S =46 nH ,T vj = 125 o C		20.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			87		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			16.1		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F =75A, -di/dt=1060A/μs,V GE = 15V L S =46 nH ,T vj = 150 o C		22.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			97		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			19.2		mJ

Diodo -raddrizzatore Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io C =75A, T vj = 150 o C		0.95		V
Io R	Corrente inversa	T vj = 150 o C ,V R =2000V			3.0	mA

NTC Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT -inverter ) Giunzione-a-Caratteristica (per invertitore DIODE er) Giunzione-Caso (per Diode-rettificatore )			0.268 0.481 0.289	C/W
R thCH	Caso -to -Dissipatore di Calore (perIGBT -inverter )Caso-Dissipatore di calore (per Diode-inverter) ) Caso-Dissipatore di calore (per Diode-rettificatore) ) Cassa-sink (per Modulo)		0.106 0.190 0.114 0.009		C/W
M	Torsione di montaggio Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4.	3.0		6.0	N.M
G	Peso di Modulo		300		g