GD750HFA120C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 800A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C =100 o C	750	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	1500	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C	3125	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	900	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	1500	A
Io FSM	Corrente di Surge in Avanti t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj = 150 o C	3104 2472	A
Io 2t	Io 2t- valore ,t p =10 mS @ T vj = 25 o C @ T vj = 150 o C	48174 30554	A 2s

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =750A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.35	1.85	V
		Io C =750A,V GE = 15V, T vj = 125 o C		1.55
		Io C =750A,V GE = 15V, T vj = 175 o C		1.55
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C	5.5	6.3	7.0	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			0.5		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		85.2		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		0.45		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15...+15V		6.15		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =750A, R G =0.5Ω, V GE =-8V/+15V, L S = 40 nH ,T vj = 25 o C		238		nS
t r	Tempo di risalita			76		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			622		nS
t f	Tempo di caduta			74		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			68.0		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			52.8		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =750A, R G =0.5Ω, V GE =-8V/+15V, L S = 40 nH ,T vj = 125 o C		266		nS
t r	Tempo di risalita			89		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			685		nS
t f	Tempo di caduta			139		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			88.9		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			67.4		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =750A, R G =0.5Ω, V GE =-8V/+15V, L S = 40 nH ,T vj = 175 o C		280		nS
t r	Tempo di risalita			95		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			715		nS
t f	Tempo di caduta			166		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			102		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			72.7		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤8μs, V GE = 15V, T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2500		A
Io SC	Dati SC	t P ≤6μs, V GE = 15V, T vj = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2400		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =750A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.60	2.05	V
		Io F =750A,V GE =0V,T vj = 125 o C		1.65
		Io F =750A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.65
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =750A, - di/dt=6500A/μs,V GE = 8V, L S = 40 nH ,T vj = 25 o C		79.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			369		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			23.3		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =750A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 8V, L S = 40 nH ,T vj = 125 o C		120		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			400		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			39.5		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =750A, - di/dt=5200A/μs,V GE = 8V, L S = 40 nH ,T vj = 175 o C		151		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			423		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			49.7		mJ

NTC Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		20		nH
R CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.80		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.048 0.088	C/W
R thCH	Caso -to -Dissipatore di Calore (perIGBT )Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)		0.028 0.051 0.009		C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Peso di Modulo		350		g