GD750HFA120C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C =100 o C

750

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1500

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C

3125

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

900

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1500

A

Io FSM

Corrente di Surge in Avanti t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj = 150 o C

3104

2472

A

Io 2t

Io 2t- valore ,t p =10 mS @ T vj = 25 o C @ T vj = 150 o C

48174

30554

A 2s

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =750A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.35

1.85

V

Io C =750A,V GE = 15V, T vj = 125 o C

1.55

Io C =750A,V GE = 15V, T vj = 175 o C

1.55

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.5

6.3

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

0.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

85.2

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.45

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15...+15V

6.15

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =750A,

R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S = 40 nH ,T vj = 25 o C

238

nS

t r

Tempo di risalita

76

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

622

nS

t f

Tempo di caduta

74

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

68.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

52.8

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S = 40 nH ,T vj = 125 o C

266

nS

t r

Tempo di risalita

89

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

685

nS

t f

Tempo di caduta

139

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

88.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

67.4

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S = 40 nH ,T vj = 175 o C

280

nS

t r

Tempo di risalita

95

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

715

nS

t f

Tempo di caduta

166

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

102

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

72.7

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤8μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

t P ≤6μs, V GE = 15V,

T vj = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =750A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.05

V

Io F =750A,V GE =0V,T vj = 125 o C

1.65

Io F =750A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.65

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =750A,

- di/dt=6500A/μs,V GE = 8V, L S = 40 nH ,T vj = 25 o C

79.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

369

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

23.3

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 8V, L S = 40 nH ,T vj = 125 o C

120

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

400

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

39.5

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =750A,

- di/dt=5200A/μs,V GE = 8V, L S = 40 nH ,T vj = 175 o C

151

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

423

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

49.7

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.80

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.048 0.088

C/W

R thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT )Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)

0.028 0.051 0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g