GD750HFA120C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=100o C

750

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1500

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

3125

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

900

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1500

A

IFSM

Corrente di Surge in Avanti t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

I2t

I2t- valore ,t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

48174

30554

A2s

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=750A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.35

1.85

V

IC=750A,V GE = 15V, T vj =125o C

1.55

IC=750A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

0.5

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

85.2

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.45

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15...+15V

6.15

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=750A,

Barra G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =25o C

238

nS

t barra

Tempo di risalita

76

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

622

nS

t f

Tempo di caduta

74

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

68.0

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

52.8

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=750A, Barra G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =125o C

266

nS

t barra

Tempo di risalita

89

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

685

nS

t f

Tempo di caduta

139

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

88.9

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

67.4

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=750A, Barra G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =175o C

280

nS

t barra

Tempo di risalita

95

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

715

nS

t f

Tempo di caduta

166

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

102

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

72.7

mJ

ISC

Dati SC

t P≤8μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

t P≤6μs, V GE = 15V,

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =750A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =750A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

IF =750A,V GE =0V,T vj =175o C

1.65

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =750A,

- di/dt=6500A/μs,V GE = 8V, LS =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

369

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

23.3

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 8V, LS =40nH ,T vj =125o C

120

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

400

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

39.5

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =750A,

- di/dt=5200A/μs,V GE = 8V, LS =40nH ,T vj =175o C

151

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

423

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

49.7

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di Barra 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.80

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.048 0.088

C/W

Barra thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT )Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)

0.028 0.051 0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g