Introduzione sintetica
Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 600A.
Caratteristiche
- Tecnologia NPT IGBT
-
10 μs capacita' di cortocircuito ilità
-
Bassa perdite di cambio
-
Robusto con prestazioni ultra veloci atteggiamento
-
V CE (seduto ) con positivo temperatura coefficiente
-
Recupero inverso veloce e morbido fWD antiparallelo
- Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Tipico Applicazioni
-
Potenza di commutazione fornitura
- Calore induttivo
- Saldatrici elettroniche
Assoluto Massimo Classificazioni T C=25o C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
IC |
Corrente del collettore @ T C=25o C
@ T C=70o C
|
830
600
|
A |
ICm |
Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms |
1200 |
A |
PD |
Dissipation di potenza massima @ T j =150o C |
4032 |
A |
Diodo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
V RRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1200 |
V |
IF |
Diodo di continua curvatura anteriore affitto |
600 |
A |
IFM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
1200 |
A |
Modulo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valore |
UNITÀ |
T jmax |
Temperatura massima di giunzione |
150 |
o C |
T - Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +125 |
o C |
T STG |
Temperatura di stoccaggio Autonomia |
-40 a +125 |
o C |
V ISO |
Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN |
2500 |
V |
IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
|
V CE (sat)
|
Collettore all'emittente
Tensione di saturazione
|
IC=600A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
IC=600A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
3.60 |
|
V GE (th) |
Limita di emissione della porta Tensione |
IC=6.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.0 |
5.8 |
6.6 |
V |
ICES |
Collettore Tagliato -OFF
Corrente
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Barra Gint |
Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
|
0.25 |
|
ω |
Cies |
Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
39.0 |
|
nF |
Cres |
Trasferimento inverso
Capacità
|
|
2.55 |
|
nF |
QG |
Importo della porta |
V GE =- 15…+15V |
|
6.30 |
|
μC |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C=600A, Barra G= 1. 1Ω,
V GE =± 15V, T j =25o C
|
|
205 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
50 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
265 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
140 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
50.4 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
20.0 |
|
mJ |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C=600A, Barra G= 1. 1Ω,
V GE =± 15V, T j = 125o C
|
|
210 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
55 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
275 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
175 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
66.0 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
28.9 |
|
mJ |
|
ISC
|
Dati SC
|
t P≤ 10 μs,V GE = 15V,
T j =125o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
3900
|
|
A
|
Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
V F |
Diodo di avanzamento
Tensione
|
IF =600A,V GE =0V,T j =25o C |
|
2.25 |
2.70 |
V |
IF =600A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
2.35 |
|
Qbarra |
Importo recuperato |
V CC = 600V,I F =600A,
-di/dt= 12kA/μs,V GE =± 15V, T j =25o C
|
|
42.0 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
492 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
16.6 |
|
mJ |
Qbarra |
Importo recuperato |
V CC = 600V,I F =600A,
-di/dt= 12kA/μs,V GE =± 15V, T j = 125o C
|
|
80.4 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
672 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
37.9 |
|
mJ |
Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
LCE |
Induttanza di deflusso |
|
|
20 |
nH |
Barra CC+EE |
Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip |
|
0.18 |
|
mΩ |
Barra ilJC |
Connessione con il caso (per IGB) T)
Connessione con il caso (per D) iodio)
|
|
|
0.031
0.070
|
C/W |
|
Barra thCH
|
Cassa-sink (per IGBT)
Cassa-sink (p) diodo)
Cassa-sink (per Modulo)
|
|
0.051
0.114
0.035
|
|
C/W |
|
M
|
Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6 |
1.1
2.5
3.0
|
|
2.0
5.0
5.0
|
N.M
|
G |
Peso di Modulo |
|
300 |
|
g |
EN
