GD600HTA120P6HT,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

ICN

Collettore Cu implementato renta

600

A

IC

Corrente del collettore @ T F =90o C

450

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1200

A

PD

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75o C T j =175o C

1075

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Pico ripetitivo volta inversa gE

1200

V

IFN

Collettore Cu implementato renta

600

A

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

450

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me

-40 a +150 +150 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

d Creep

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

9.0 9.0

mm

d Chiaro

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

4.5 4.5

mm

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC= 450 A,V GE = 15V, T j =25o C

1.40

V

IC= 450 A,V GE = 15V, T j =150o C

1.65

IC= 450 A,V GE = 15V, T j =175o C

1.70

IC=600A,V GE = 15V, T j =25o C

1.60

IC=600A,V GE = 15V, T j =150o C

1.90

IC=600A,V GE = 15V, T j =175o C

2.00

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=15.6mA ,V CE =V GE , T j =25o C

6.4

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

1.67

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

81.2

nF

C- Non

Capacità di uscita

1.56

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.53

nF

QG

Importo della porta

V CE = 600V,I C = 600A, V GE =-8... +15V

5.34

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=600A,

Barra Gon =1,0Ω, Barra Goff = 2,2Ω, LS = 22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =25o C

290

nS

t barra

Tempo di risalita

81

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

895

nS

t f

Tempo di caduta

87

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

53.5

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

47.5

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=600A,

Barra Gon =1,0Ω, Barra Goff = 2,2Ω, LS = 22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =150o C

322

nS

t barra

Tempo di risalita

103

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1017

nS

t f

Tempo di caduta

171

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

84.2

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

63.7

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=600A,

Barra Gon =1,0Ω, Barra Goff = 2,2Ω, LS = 22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =175o C

334

nS

t barra

Tempo di risalita

104

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1048

nS

t f

Tempo di caduta

187

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

89.8

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

65.4

mJ

ISC

Dati SC

t P≤6μs, V GE = 15V,

2000

A

T j =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF = 450 A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

V

IF = 450 A,V GE =0V,T j =150o C

1.75

IF = 450 A,V GE =0V,T j =175o C

1.70

IF =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

IF =600A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

IF =600A,V GE =0V,T j =175o C

1.90

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =600A,

- di/dt=7040A/μs,V GE =-8V LS =22nH ,T j =25o C

22.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

304

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

10.8

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =600A,

- di/dt=5790A/μs,V GE =-8V LS =22nH ,T j =150o C

46.6

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

336

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

18.2

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =600A,

- di/dt=5520A/μs,V GE =-8V LS =22nH ,T j =175o C

49.8

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

346

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

19.8

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di Barra 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

8

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.75

mΩ

p

Pressione Massima Nella Circolazione Raffreddante - Si ', si '.

2.5

barra

Barra thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △V/ △t=10.0 dm 3/mIN ,T F =75o C

0.081 0.118

0.093 0.136

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Peso di Modulo

750

g