GD400HTX120P6HFL, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 400A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
capacità di cortocircuito di 6 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Baseplate in rame isolato con pinfin utilizzando Si ₃N ₄Tecnologia AMB

Applicazioni tipiche

Applicazione automobilistica
Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato renta	400	A
Io C	Corrente del collettore @ T F =100 o C	250	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	800	A
P P	Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75 o C T j = 175 o C	862	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Pico ripetitivo volta inversa gE	1200	V
Io FN	Collettore Cu implementato renta	400	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	250	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	800	A
Io 2t	Io 2valore t, t p =10ms @ T j = 125 o C @ T j = 150 o C	17860 15664	A 2s

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione continua Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me	-40 a +150 +150 a +175	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	3000	V

IGBT Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =250A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.45	1.80	V
		Io C =250A,V GE = 15V, T j = 125 o C		1.65
		Io C =250A,V GE = 15V, T j = 150 o C		1.70
		Io C =380A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.70
		Io C =380A,V GE = 15V, T j = 150 o C		2.15
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =9.75 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			2.4		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		33.6		nF
C - Non	Capacità di uscita			1.43		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.82		nF
Q G	Importo della porta	V CE = 600V,I C =250A, V GE =-8... +15V		1.98		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 250 A, R G = 2,2Ω, L S = 24 nH ,V GE =-8V/+15V, T j = 25 o C		231		nS
t r	Tempo di risalita			50		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			545		nS
t f	Tempo di caduta			172		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			19.6		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			23.2		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 250 A, R G = 2,2Ω, L S = 24 nH ,V GE =-8V/+15V, T j = 125 o C		241		nS
t r	Tempo di risalita			57		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			619		nS
t f	Tempo di caduta			247		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			26.6		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			28.7		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 250 A, R G = 2,2Ω, L S = 24 nH ,V GE =-8V/+15V, T j = 150 o C		245		nS
t r	Tempo di risalita			57		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			641		nS
t f	Tempo di caduta			269		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			30.1		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			30.9		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤6μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1200		A

Diodo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =250A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.50	1.90	V
		Io F =250A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.45
		Io F =250A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.40
		Io F =380A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.65
		Io F =380A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.60
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 250 A, -di/dt=4860A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 25 o C		9.10		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			160		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			4.39		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 250 A, - di/dt=4300A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 125 o C		21.4		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			192		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			8.43		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 250 A, -di/dt=4120A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 150 o C		25.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			203		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			9.97		mJ

NTC Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		8		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.75		mΩ
△ p	△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C		64		mbar
p	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo			2.5	bar
R thJF	Giunti -to -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio)		0.098 0.128	0.116 0.150	C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Peso di Modulo		750		g