Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD400HFL120C2S

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Collettore corrente @tc= 25°C

@ Tc= 80°C

730

400

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp= 1ms

800

a)

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

400

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

800

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175°C

2778

- Sì

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

°C

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

°C

tSTG

intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

°C

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

montamento coppia

Filtro di alimentazione:M6

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

2,5 a 5.0

3,0 a 5.0

n.m.

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

v(br)CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,tj= 25°C

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C

400

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 16,0 mA,V- -=VGE- Sì.tj= 25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 25°C

1.90

2.35

v

Ic= 400 A,VGE= 15V, tj= 125°C

2.10

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 4. 1Ω,

vGE=± 15V,tj= 25°C

910

NS

tr

Tempo di risalita

200

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

848

NS

tf

Tempo di caduta

110

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

33.5

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

39.5

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 400A,- Non lo so.rg= 4. 1Ω,

vGE=± 15V,tj= 125°C

1047

NS

tr

Tempo di risalita

201

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

998

NS

tf

Tempo di caduta

150

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

46.0

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

57.6

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

29.7

NF

c- Non

Capacità di uscita

2.08

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.36

NF

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE=15 v,

tj= 125°C,v- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V

1800

a)

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

0.5

Oh

- Io...- -

Induttanza di deflusso

18

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.32

mΩ

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 400A

tj= 25°C

1.80

2.20

v

tj= 125°C

1.85

Qr

Ricostruito

carico

If= 400A,

vr= 600V,

rg= 4. 1Ω,

vGE= 15V

tj= 25°C

26

μC

tj= 125°C

49

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

tj= 25°C

212

a)

tj= 125°C

281

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

tj= 25°C

23.4

mj

tj= 125°C

33.8

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

0.054

C/W

rθJC

Connessione con il caso (per D)iodio)

0.093

C/W

rθcss

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo)mentito)

0.032

C/W

peso

peso- Non lo so.modulo

350

g