Breve introduzione
Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 400A. - Sì.
Caratteristiche
- Tecnologia NPT IGBT
- capacità di cortocircuito di 10 μs
- Basse perdite di cambio
- VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
- Cassa a bassa induttanza
- FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
- Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Applicazioni tipiche
- Fornitore di alimentazione in modalità di commutazione
- Calore induttivo
- Saldatrici elettroniche
Assoluto Massimo Classificazioni T F =25o C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
S C |
Corrente del collettore @ T C =25o C @ T C =60o C |
519
400
|
A |
S CM |
Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms |
800 |
A |
P D |
Dissipation di potenza massima @ T vj =150o C |
2450 |
A |
Diodo
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
V RRM |
Volt inverso di picco ripetitivo età |
1200 |
V |
S F |
Diode Corrente continua in avanti Cu renta |
400 |
A |
S FM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
800 |
A |
Modulo
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
T vjmax |
Temperatura massima di giunzione |
150 |
o C |
T vjop |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +125 |
o C |
T STG |
Intervallo di temperatura di conservazione |
-40 a +125 |
o C |
V ISO |
Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Caratteristiche T C =25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
|
V CE (sat)
|
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
S C = 400 A,V GE = 15V, T vj =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
S C = 400 A,V GE = 15V, T vj =125o C |
|
3.60 |
|
V GE (th) |
Limita di emissione della porta Tensione |
S C =16.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
S CES |
Collettore Tagliato -OFF Corrente |
V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
S GES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Barra Gint |
Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
|
0.6 |
|
ω |
C ies |
Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
|
26.0 |
|
nF |
C res |
Trasferimento inverso Capacità |
|
1.70 |
|
nF |
Q G |
Importo della porta |
V GE =-15...+15V |
|
4.2 |
|
μC |
t d (su ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, Barra G = 2,2Ω, L S =30nH , V GE = ± 15V,T vj =25o C
|
|
252 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
63 |
|
nS |
t d ((off) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
427 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
44 |
|
nS |
E su |
Accendere Commutazione Perdita |
|
24.7 |
|
mJ |
E oFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
16.5 |
|
mJ |
t d (su ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, Barra G = 2,2Ω, L S =30nH , V GE = ± 15V,T vj =125o C
|
|
258 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
65 |
|
nS |
t d ((off) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
465 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
57 |
|
nS |
E su |
Accendere Commutazione Perdita |
|
35.2 |
|
mJ |
E oFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
22.6 |
|
mJ |
S SC |
Dati SC |
t P ≤10μs, V GE = 15V,
T vj =125o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1600 |
|
A |
Diodo Caratteristiche T C =25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V F |
Diodo di avanzamento Tensione |
S F = 400 A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
S F = 400 A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Q barra |
Importo recuperato |
V Barra = 600V,I F = 400A,
-di/dt=6540A/μs, L S =30nH, V GE = 15 V, T vj =25o C
|
|
38.9 |
|
μC |
S RM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
401 |
|
A |
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
13.8 |
|
mJ |
Q barra |
Importo recuperato |
V Barra = 600V,I F = 400A,
-di/dt=6300A/μs, L S =30nH, V GE = 15 V, T vj =125o C
|
|
68.0 |
|
μC |
S RM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
444 |
|
A |
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
26.2 |
|
mJ |
Modulo Caratteristiche T C =25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
L CE |
Induttanza di deflusso |
|
|
30 |
nH |
Barra CC+EE |
Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
Barra ilJC |
Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo) |
|
|
0.051 0.114 |
C/W |
|
Barra thCH
|
Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo) |
|
0.019 0.042 0.010 |
|
C/W |
M |
Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Peso di Modulo |
|
300 |
|
g |
EN
