GD300HFX170C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C = 100o C

493

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

600

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T = 175 o C

1829

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

600

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.85

2.20

V

Io C =300A,V GE = 15V, T j = 125 o C

2.25

Io C =300A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 12.0mA,V CE =V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.88

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, R Gon =3.3Ω,

R Goff =4.7Ω, V GE =± 15V,

T j = 25 o C

213

nS

t r

Tempo di risalita

83

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

621

nS

t f

Tempo di caduta

350

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

79.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

70.2

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, R Gon =3.3Ω,

R Goff =4.7Ω, V GE =± 15V,

T j = 125o C

240

nS

t r

Tempo di risalita

92

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

726

nS

t f

Tempo di caduta

649

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

104

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

108

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, R Gon =3.3Ω, R Goff =4.7Ω,

V GE =± 15V, T j = 150o C

248

nS

t r

Tempo di risalita

95

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

736

nS

t f

Tempo di caduta

720

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

115

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

116

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.80

2.25

V

Io F =300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

Io F =300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V T j = 25 o C

82.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

407

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

46.6

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V T j = 125 o C

138

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

462

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

92.2

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V T j = 150 o C

154

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

460

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

109

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

δR/R

Deviazione di R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

1.10

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.082 0.129

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)

0.029 0.046 0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g