GD300HFX170C6SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

493

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

600

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

1829

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

600

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.85

2.20

V

Io C =300A,V GE = 15V, T j = 125 o C

2.25

Io C =300A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =12.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.88

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff =4.7Ω, L S =66nH,V GE =± 15V, T j = 25 o C

265

nS

t r

Tempo di risalita

94

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

565

nS

t f

Tempo di caduta

326

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

77.6

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

52.8

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff =4.7Ω, L S =66nH,V GE =± 15V, T j = 125 o C

302

nS

t r

Tempo di risalita

104

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

631

nS

t f

Tempo di caduta

521

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

108

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

72.8

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff =4.7Ω, L S =66nH,V GE =± 15V, T j = 150 o C

313

nS

t r

Tempo di risalita

108

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

645

nS

t f

Tempo di caduta

545

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

119

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

78.4

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C ,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.80

2.25

V

Io F =300A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.95

Io F =300A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.90

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2650A/μs,V GE = 15V L S =66 nH ,T j = 25 o C

56.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

228

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

38.4

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =300A,

-di⁄dt=2300A⁄μs,V GE = 15V L S =66 nH ,T j = 125 o C

89.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

262

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

60.2

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2250A/μs,V GE = 15V L S =66 nH ,T j = 150 o C

102

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

272

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

69.6

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

1.10

mΩ

R ilJC

Giunti -to -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.082 0.121

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.030 0.045 0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g