GD300HFU120C2SD, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

320

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

600

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

1063

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

600

A

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.40

1.85

V

Io C =300A,V GE = 15V, T j = 125 o C

1.60

Io C =300A,V GE = 15V, T j = 175 o C

1.60

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 8 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.5

6.3

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

51.5

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.36

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

4.50

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, R G =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =± 15V,

T j = 25 o C

405

nS

t r

Tempo di risalita

83

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

586

nS

t f

Tempo di caduta

129

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

34.3

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

19.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, R G =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =± 15V,

T j = 125 o C

461

nS

t r

Tempo di risalita

107

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

676

nS

t f

Tempo di caduta

214

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

48.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

26.6

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, R G =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =± 15V,

T j = 175 o C

518

nS

t r

Tempo di risalita

124

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

738

nS

t f

Tempo di caduta

264

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

58.1

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

31.7

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤7μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1150

A

t P ≤6μs, V GE = 15V,

T j = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1110

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.60

2.00

V

Io F =300A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.60

Io F =300A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.50

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =300A,

-di⁄dt=3135A⁄μs, V GE = 15 V, Ls=32nH, T j = 25 o C

19.1

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

140

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

4.92

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =300A,

-di⁄dt=2516A⁄μs, V GE = 15V Ls=32nH, T j = 125 o C

33.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

159

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

9.35

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =300A,

-di⁄dt=2204A⁄μs, V GE = 15V Ls=32nH, T j = 175 o C

46.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

171

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

13.7

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

21

nH

R CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce,Terminal to Chip

1.80

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.141 0.243

C/W

R thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT )Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Cassa-sink (per Modulo)

0.085 0.147 0.009

C/W

M

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

3.0

6.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g