GD300HFU120C2SD, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 300A. - Sì.

Caratteristiche

Basso VCE(sat) Tecnologia IGBT a trincea
capacità di cortocircuito di 6 μs
VCE (sat) con positivo temperatura coefficiente
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	320 300	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	600	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C	1063	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	300	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	600	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =300A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.40	1.85	V
		Io C =300A,V GE = 15V, T j = 125 o C		1.60
		Io C =300A,V GE = 15V, T j = 175 o C		1.60
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 8 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.5	6.3	7.0	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.5		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		51.5		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		0.36		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		4.50		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =300A, R G =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =± 15V, T j = 25 o C		405		nS
t r	Tempo di risalita			83		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			586		nS
t f	Tempo di caduta			129		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			34.3		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			19.3		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =300A, R G =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =± 15V, T j = 125 o C		461		nS
t r	Tempo di risalita			107		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			676		nS
t f	Tempo di caduta			214		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			48.0		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			26.6		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =300A, R G =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =± 15V, T j = 175 o C		518		nS
t r	Tempo di risalita			124		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			738		nS
t f	Tempo di caduta			264		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			58.1		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			31.7		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤7μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1150		A
Io SC	Dati SC	t P ≤6μs, V GE = 15V, T j = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1110		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.60	2.00	V
		Io F =300A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.60
		Io F =300A,V GE =0V,T j =1 75o C		1.50
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =300A, -di⁄dt=3135A⁄μs, V GE = 15 V, Ls=32nH, T j = 25 o C		19.1		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			140		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			4.92		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =300A, -di⁄dt=2516A⁄μs, V GE = 15V Ls=32nH, T j = 125 o C		33.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			159		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			9.35		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =300A, -di⁄dt=2204A⁄μs, V GE = 15V Ls=32nH, T j = 175 o C		46.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			171		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			13.7		mJ

NTC Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		21		nH
R CC+EE	Resistenza di Contatto del Modulo nce,Terminal to Chip		1.80		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)			0.141 0.243	C/W
R thCH	Caso -to -Dissipatore di Calore (perIGBT )Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Cassa-sink (per Modulo)		0.085 0.147 0.009		C/W
M	Fabbricazione di dispositivi di controllo:	3.0		6.0	N.M
G	Peso di Modulo		300		g