GD260HTX120P7H,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

ICN

Collettore Cu implementato renta

260

A

IC

Corrente del collettore @ T F =100o C

150

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

520

A

PD

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75o C T j =175o C

500

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Pico ripetitivo volta inversa gE

1200

V

IFN

Collettore Cu implementato renta

260

A

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

150

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

520

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me

-40 a +150 +150 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=150A,V GE = 15V, T j =25o C

1.40

1.75

V

IC=150A,V GE = 15V, T j =125o C

1.60

IC=150A,V GE = 15V, T j =150o C

1.60

IC=260A, V GE = 15V, T j =25o C

1.70

IC=260A, V GE = 15V, T j =150o C

2.15

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=10.4mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

3.6

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

22.4

nF

C- Non

Capacità di uscita

0.95

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.55

nF

QG

Importo della porta

V CE = 600V,I C =150A, V GE =-8... +15V

1.32

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=150A,

Barra G=3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =35nH ,T j =25o C

181

nS

t barra

Tempo di risalita

44

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

541

nS

t f

Tempo di caduta

217

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

12.1

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

14.4

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=150A,

Barra G=3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =35nH ,T j =125o C

193

nS

t barra

Tempo di risalita

52

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

609

nS

t f

Tempo di caduta

319

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

17.3

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

18.3

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=150A,

Barra G=3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =35nH ,T j =150o C

199

nS

t barra

Tempo di risalita

54

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

628

nS

t f

Tempo di caduta

333

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

19.3

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

19.3

mJ

ISC

Dati SC

t P≤6μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.45

1.80

V

IF =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.40

IF =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.35

IF =260A, V GE =0V,T j =25o C

1.65

IF =260A, V GE =0V,T j =150o C

1.65

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =150A,

-di/dt=3400A/μs, V GE =-8V LS =35nH ,T j =25o C

6.55

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

115

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

3.23

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =150A,

-di/dt=2950A/μs, V GE =-8V LS =35nH ,T j =125o C

14.3

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

125

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

5.42

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =150A,

-di/dt=2780A/μs, V GE =-8V LS =35nH ,T j =150o C

16.6

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

130

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

6.31

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di Barra 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

△p

Caduta di Pressione Circuito di Raffreddamento cuo

δ V\/Δt=10.0dm3\/min;TF=2 5 o C;Raffreddamento Fluido=50% Acqua/50% Glicole Etilenico

50

mbar

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

2.0

barra

Barra thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio)

0.200 0.274

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

685

g