GD260HTX120P7H, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 260A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
capacità di cortocircuito di 6 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Baseplate di rame isolata con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Applicazione automobilistica
Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato renta	260	A
Io C	Corrente del collettore @ T F =100 o C	150	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	520	A
P P	Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75 o C T j = 175 o C	500	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Pico ripetitivo volta inversa gE	1200	V
Io FN	Collettore Cu implementato renta	260	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	150	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	520	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione continua Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me	-40 a +150 +150 a +175	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =150A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.40	1.75	V
		Io C =150A,V GE = 15V, T j = 125 o C		1.60
		Io C =150A,V GE = 15V, T j = 150 o C		1.60
		Io C =260A, V GE = 15V, T j = 25 o C		1.70
		Io C =260A, V GE = 15V, T j = 150 o C		2.15
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =10.4 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			3.6		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		22.4		nF
C - Non	Capacità di uscita			0.95		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.55		nF
Q G	Importo della porta	V CE = 600V,I C =150A, V GE =-8... +15V		1.32		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =150A, R G =3.3Ω, V GE =-8V/+15V, L S =35 nH ,T j = 25 o C		181		nS
t r	Tempo di risalita			44		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			541		nS
t f	Tempo di caduta			217		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			12.1		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			14.4		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =150A, R G =3.3Ω, V GE =-8V/+15V, L S =35 nH ,T j = 125 o C		193		nS
t r	Tempo di risalita			52		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			609		nS
t f	Tempo di caduta			319		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			17.3		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			18.3		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =150A, R G =3.3Ω, V GE =-8V/+15V, L S =35 nH ,T j = 150 o C		199		nS
t r	Tempo di risalita			54		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			628		nS
t f	Tempo di caduta			333		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			19.3		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			19.3		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤6μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diodo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =150A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.45	1.80	V
		Io F =150A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.40
		Io F =150A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.35
		Io F =260A, V GE =0V,T j = 25 o C		1.65
		Io F =260A, V GE =0V,T j =1 50o C		1.65
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =150A, -di/dt=3400A/μs, V GE =-8V L S =35 nH ,T j = 25 o C		6.55		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			115		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			3.23		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =150A, -di/dt=2950A/μs, V GE =-8V L S =35 nH ,T j = 125 o C		14.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			125		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			5.42		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =150A, -di/dt=2780A/μs, V GE =-8V L S =35 nH ,T j = 150 o C		16.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			130		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			6.31		mJ

NTC Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
△ p	Caduta di Pressione Circuito di Raffreddamento cuo δ V\/Δt=10.0dm3\/min;TF=2 5 o C;Raffreddamento Fluido=50% Acqua/50% Glicole Etilenico		50		mbar
p	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo			2.0	bar
R thJF	Giunti -to -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio)			0.200 0.274	C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Peso di Modulo		685		g