GD260HTA120P7H_T, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

ICN

Collettore Cu implementato renta

260

A

IC

Corrente del collettore @ T F =125o C

150

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

520

A

PD

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75o C T vj =175o C

526

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Pico ripetitivo volta inversa gE

1200

V

IFN

Collettore Cu implementato renta

260

A

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

150

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

520

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me

-40 a +150 +150 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=150A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.15

1.50

V

IC=150A,V GE = 15V, T vj =125o C

1.20

IC=150A,V GE = 15V, T vj =150o C

1.20

IC=260A, V GE = 15V, T vj =25o C

1.35

IC=260A, V GE = 15V, T vj =150o C

1.55

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=10.4mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

6.4

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

2.50

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

54.1

nF

C- Non

Capacità di uscita

1.04

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.35

nF

QG

Importo della porta

V CE = 600V,I C =260A, V GE =-8... +15V

3.54

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=150A,

Barra G=3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =35nH ,T vj =25o C

345

nS

t barra

Tempo di risalita

61

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

933

nS

t f

Tempo di caduta

105

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

19.6

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

11.0

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=150A, Barra G=3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =35nH ,T vj =125o C

376

nS

t barra

Tempo di risalita

69

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1052

nS

t f

Tempo di caduta

164

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

25.3

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

14.3

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=150A, Barra G=3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =35nH ,T vj =150o C

382

nS

t barra

Tempo di risalita

73

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1085

nS

t f

Tempo di caduta

185

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

27.6

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

15.7

mJ

ISC

Dati SC

t P≤6μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.45

1.80

V

IF =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.40

IF =150A,V GE =0V,T vj =150o C

1.35

IF =260A, V GE =0V,T vj =25o C

1.65

IF =260A, V GE =0V,T vj =150o C

1.65

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =150A,

-di/dt=2690A/μs,V GE =-8V LS =35nH ,T vj =25o C

14.2

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

123

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

3.79

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =150A,

-di/dt=2210A/μs,V GE =-8V LS =35nH ,T vj =125o C

24.3

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

137

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

6.30

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =150A,

-di/dt=2130A/μs,V GE =-8V LS =35nH ,T vj =150o C

27.3

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

142

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

7.08

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di Barra 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

△p

Caduta di Pressione Circuito di Raffreddamento cuo

δ V\/Δt=10.0dm3\/min;TF=2 5 o C;Raffreddamento Fluido=50% Acqua/50% Glicole Etilenico

50

mbar

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

2.0

barra

Barra thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △V/ △t=10.0 dm 3/mIN ,T F =75o C

0.165 0.265

0.190 0.305

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

685

g