GD2400SGX170C4S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C =100 o C

2400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

4800

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

13.7

kw

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

2400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

4800

A

Io FSM

Corrente di Surrogazione in Avanti V R =0V,T p =10ms, @T j = 25 o C @T j = 150 o C

18.65 15.25

kA

Io 2t

Io 2valore t,V R =0V,T p =10m s,T j = 25 o C Io 2valore t,V R =0V,T p = 10 ms ,t j = 150 o C

1739

1162

kA 2s

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =2400A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.85

2.30

V

Io C =2400A,V GE = 15V, T j = 125 o C

2.25

Io C =2400A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =96.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resis interna della porta - Sotto il mio nome.

0.6

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

285

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

7.13

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15...+15V

23.5

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V GE =-9V/+15V,

T j = 25 o C

609

nS

t r

Tempo di risalita

232

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1676

nS

t f

Tempo di caduta

192

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

784

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

785

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V GE =-9V/+15V,

T j = 125 o C

732

nS

t r

Tempo di risalita

280

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

2171

nS

t f

Tempo di caduta

243

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

1350

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

1083

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V GE =-9V/+15V,

T j = 150 o C

772

nS

t r

Tempo di risalita

298

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

2294

nS

t f

Tempo di caduta

298

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

1533

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

1126

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

10.5

kA

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =2400A,V GE =0V,T j = 25o C

1.80

2.25

V

Io F =2400A,V GE =0V,T j = 125 o C

1.90

Io F =2400A,V GE =0V,T j = 150 o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =2400A,

-di/dt=9570A/μs,V GE =-9V, L S =32 nH ,T j = 25 o C

243

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

1656

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

274

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =2400A,

-di/dt=7500A/μs,V GE =-9V, L S =32 nH ,T j = 125 o C

425

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

1692

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

438

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =2400A,

-di/dt=6990A/μs,V GE =-9V, L S =32 nH ,T j = 150 o C

534

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

1809

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

563

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

6.0

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.10

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

10.9 20.9

K/kW

R thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT )Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

6.1 11.7 4.0

K/kW

p Creep

Terminale-al-Radiatore Terminale-a-Terminale

32.2 32.2

mm

p Chiaro

Terminale-al-Radiatore Terminale-a-Terminale

19.1 19.1

mm

M

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Torsione di connessione terminale, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Peso di Modulo

1500

g