GD2400SGX170C4S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1 700V 2400A ,C4 .

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra base in AlSiC per capacità di ciclo ad alta potenza
Substrato AlN per bassa resistenza termica cE

Applicazioni tipiche

Convertitori ad alta potenza
Azionamenti per motori

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C =100 o C	2400	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	4800	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C	13.7	kw

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1700	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	2400	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	4800	A
Io FSM	Corrente di Surrogazione in Avanti V R =0V,T p =10ms, @T j = 25 o C @T j = 150 o C	18.65 15.25	kA
Io 2t	Io 2valore t,V R =0V,T p =10m s,T j = 25 o C Io 2valore t,V R =0V,T p = 10 ms ,t j = 150 o C	1739 1162	kA 2s

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =2400A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.85	2.30	V
		Io C =2400A,V GE = 15V, T j = 125 o C		2.25
		Io C =2400A,V GE = 15V, T j = 150 o C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =96.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resis interna della porta - Sotto il mio nome.			0.6		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		285		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		7.13		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15...+15V		23.5		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V GE =-9V/+15V, T j = 25 o C		609		nS
t r	Tempo di risalita			232		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1676		nS
t f	Tempo di caduta			192		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			784		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			785		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V GE =-9V/+15V, T j = 125 o C		732		nS
t r	Tempo di risalita			280		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			2171		nS
t f	Tempo di caduta			243		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			1350		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			1083		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V GE =-9V/+15V, T j = 150 o C		772		nS
t r	Tempo di risalita			298		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			2294		nS
t f	Tempo di caduta			298		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			1533		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			1126		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		10.5		kA

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =2400A,V GE =0V,T j = 25o C		1.80	2.25	V
		Io F =2400A,V GE =0V,T j = 125 o C		1.90
		Io F =2400A,V GE =0V,T j = 150 o C		1.95
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F =2400A, -di/dt=9570A/μs,V GE =-9V, L S =32 nH ,T j = 25 o C		243		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			1656		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			274		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F =2400A, -di/dt=7500A/μs,V GE =-9V, L S =32 nH ,T j = 125 o C		425		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			1692		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			438		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F =2400A, -di/dt=6990A/μs,V GE =-9V, L S =32 nH ,T j = 150 o C		534		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			1809		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			563		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		6.0		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.10		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)			10.9 20.9	K/kW
R thCH	Caso -to -Dissipatore di Calore (perIGBT )Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		6.1 11.7 4.0		K/kW
p Creep	Terminale-al-Radiatore Terminale-a-Terminale		32.2 32.2		mm
p Chiaro	Terminale-al-Radiatore Terminale-a-Terminale		19.1 19.1		mm
M	Torsione di connessione terminale, Vite M4 Torsione di connessione terminale, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M
G	Peso di Modulo		1500		g