Breve introduzione
Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.
Caratteristiche
- Tecnologia NPT IGBT
- capacità di cortocircuito di 10 μs
- Basse perdite di cambio
- Robusto con prestazioni ultra veloci
- VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
- Cassa a bassa induttanza
- FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
- Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Applicazioni tipiche
- Forniture di alimentazione in modalità di commutazione
- Calore induttivo
- Saldatrici elettroniche
Assoluto Massimo Classificazioni T C=25℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
GD200SGU120C2S |
Unità |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
Io C |
Corrente Collettore @ T C=25℃
@ T C=80℃
|
320
200
|
A |
Io Cm |
Corrente Collettore a Impulso t p =1ms |
400 |
A |
Io F |
Corrente continua in avanti del diodo @ T C=80℃ |
200 |
A |
Io FM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
400 |
A |
PD |
Dissipation di potenza massima @ T j =150℃ |
1645 |
A |
T jmax |
Temperatura massima di giunzione |
150 |
℃ |
T STG |
Temperatura di stoccaggio Autonomia |
-40 a +125 |
℃ |
V ISO |
Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN |
4000 |
V |
Montaggio Coppia |
Terminale di segnale Vite:M4 |
1.1 a 2.0 |
|
Filtro di alimentazione:M6 |
2,5 a 5.0 |
N.M |
Fabbricazione di dispositivi di controllo: |
3,0 a 5.0 |
|
Elettrico Caratteristiche di IGBT T C=25℃ a meno che altrimenti notato
Non caratteristiche
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V (BR )CES |
Collettore-emittente
Tensione di Rottura
|
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
Io CES |
Collettore Tagliato -OFF
Corrente
|
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
Io GES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Sulle caratteristiche
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V GE (th) |
Limita di emissione della porta Tensione |
Io C=2.0mA ,V CE =V GE , T j =25℃ |
4.4 |
4.9 |
6.0 |
V |
|
V CE (sat)
|
Collettore all'emittente
Tensione di saturazione
|
Io C=200A,V GE = 15V, T j =25℃ |
|
3.10 |
3.55 |
V
|
Io C=200A,V GE = 15V, T j =125℃ |
|
3.45 |
|
Caratteristiche di cambio
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C=200A, R G=4.7Ω,V GE =± 15V, T j =25℃
|
|
577 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
120 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
540 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
123 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione Perdita |
|
16.3 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
12.0 |
|
mJ |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C=200A, R G=4.7Ω,V GE =± 15V, T j =125℃
|
|
609 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
121 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
574 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
132 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione Perdita |
|
22.0 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
16.2 |
|
mJ |
Cies |
Capacità di ingresso |
V CE = 30V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
16.9 |
|
nF |
C- Non |
Capacità di uscita |
|
1.51 |
|
nF |
Cres |
Trasferimento inverso
Capacità
|
|
0.61 |
|
nF |
|
Io SC
|
Dati SC
|
t P≤ 10 μs,V GE =15 V,
T j =125℃,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1800
|
|
A
|
LCE |
Induttanza di deflusso |
|
|
|
20 |
nH |
|
R CC+EE
|
Modulo piombo
La resistenza,
Terminal a chip
|
|
|
0.18
|
|
mΩ
|
Elettrico Caratteristiche di Diodo T C=25℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V F |
Diodo di avanzamento
Tensione
|
Io F =200A |
T j =25℃ |
|
1.82 |
2.25 |
V |
T j =125℃ |
|
1.92 |
|
Dr |
Ricostruito
Carica
|
Io F =200A,
V R = 600V,
R G=4.7Ω,
V GE = 15V
|
T j =25℃ |
|
13.1 |
|
μC |
T j =125℃ |
|
26.1 |
|
Io RM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
T j =25℃ |
|
123 |
|
A |
T j =125℃ |
|
172 |
|
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
T j =25℃ |
|
7.0 |
|
mJ |
T j =125℃ |
|
12.9 |
|
Caratteristica termica ics
Il simbolo |
Parametro |
Tipo. |
Max. |
Unità |
R θ JC |
Connessione con il caso (per IGB) T) |
|
0.076 |
C/W |
R θ JC |
Connessione con il caso (per D) Iodio) |
|
0.128 |
C/W |
R θ CS |
Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito) |
0.035 |
|
C/W |
Peso |
Peso Modulo |
300 |
|
g |
EN
