GD200HFX120C8SN, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

363

200

A

Io CRM

Ripetitiva Pico Collettore Corrente tp limitata da T vjop

400

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C

1293

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

200

A

Io MF

Ripetitiva Pico In avanti Corrente tp limitata da T vjop

400

A

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =200A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.75

2.20

V

Io C =200A,V GE = 15V, T vj = 125 o C

2.00

Io C =200A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.05

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =8.0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.0

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

18.6

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.52

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

1.40

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj = 25 o C

140

nS

t r

Tempo di risalita

31

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

239

nS

t f

Tempo di caduta

188

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

11.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

13.4

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj = 125 o C

146

nS

t r

Tempo di risalita

36

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

284

nS

t f

Tempo di caduta

284

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

19.4

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

18.9

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj = 150 o C

148

nS

t r

Tempo di risalita

37

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

294

nS

t f

Tempo di caduta

303

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

21.7

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

19.8

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =200A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Io F =200A,V GE =0V,T vj = 125 o C

1.90

Io F =200A,V GE =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=5710A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, T vj = 25 o C

20.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

220

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

7.5

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=4740A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, T vj = 125 o C

34.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

209

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

12.9

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di⁄dt=4400A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, T vj = 150 o C

38.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

204

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

14.6

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.116 0.185

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.150 0.239 0.046

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vattone M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

G

Peso di Modulo

200

g