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Raffreddamento ad acqua

Raffreddamento ad acqua

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MTx600 MFx600 MT600, Moduli di Thyristor/Diode, Raffreddamento ad Acqua

600A,600V~1800V,406F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MTx600 MFx600 MT600
Appurtenance:

Brochure del prodotto:SCARICA

  • Introduzione
  • Outline
  • Schema del circuito equivalente
Introduzione

Breve introduzione

Tiristore/ Modulo di diodo , MTx 600 MFx 600 MT 600600A ,Raffreddamento ad acqua prodotto da TECHSEM.

V RRM v DRM

Tipo & Outline

600V

MT2 sistema di controllo

MFx600-06-406F3

800V

MT2 sistema di controllo

MFx600-08-406F3

1000V

MT2 di cui all'articolo 2

MFx600-10-406F3

1200V

MT2 di cui all'articolo 2

MFx600-12-406F3

1400V

MT2 di cui all'articolo 2

MFx600-14-406F3

1600V

MTx600-16-406F3

MFx600-16-406F3

1800V

MT2 di cui all'articolo 2

MFx600-18-406F3

1800V

MT6203F3G

MTx significa qualsiasi tipo di MTC, MTA , MTK

MFx significa qualsiasi tipo di MFC, MFA, MFK

Caratteristiche

  • Base di montaggio isolata 3000V~
  • Tecnologia di contatto a pressione con
  • Maggiore capacità di cicli di potenza
  • Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

  • Motori a corrente alternata
  • Vari rettificatori
  • Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( )

Valore

Unità

Min

TIPO

Max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180° mezza onda sinusoidale 50Hz

Conducibile a raffreddamento a lato singolo, THS=55 C

125

600

A

IT(RMS)

Corrente di stato RMS

942

A

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

45

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

VR=60%VRRM,t=10ms mezzo seno

125

16.0

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

125

1280

103A 2s

VTO

Voltaggio di soglia

125

0.85

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.30

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=1800A

25

1.90

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

Gate source 1.5A

tr ≤0.5μs Ripetitivo

125

200

A/μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.8

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

10

200

mA

IL

Corrente di aggancio

1000

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato da un lato per chip

0.085

/W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Raffreddato da un lato per chip

0.040

/W

VISO

Tensione di isolamento

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Torsione di connessione terminale ((M12)

12

14

N·m

Coppia di montaggio (M6)

4.5

6

N·m

Tvj

Temperatura di giunzione

-40

125

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

Wt

Peso

1580

g

Outline

406F3

Outline

Schema del circuito equivalente

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