Raffreddamento ad acqua

MTx800 MFx800 MT800,Moduli Thyristor/Diode,Raffreddamento a acqua

800A,600V~1800V, 414S3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx800 MFx800 MT800

Appurtenance:

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Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Modulo tiristore/diodo e, MTx800 MFx800 MT800 ,8 00A ,Raffreddamento ad acqua ，prodotto da TECHSEM.

Breve introduzione

Modulo tiristore/diodo e, MTx 800 MFx 800 MT 800，800A ,Raffreddamento ad acqua ，prodotto da TECHSEM.

VDRM VRRM,	Tipo e contorno
800V	MT2 sistema di controllo	MFx800-08-414S3
1000V	MT3 sistema di controllo	MFx800-10-414S3
1200V	MT2 sistema di controllo	MFx800-12-414S3
1400V	MT2 sistema di controllo	MFx800-14-414S3
1600V	MT3 sistema di controllo	MFx800-16-414S3
1800V	MT3 sistema di controllo	MFx800-18-414S3
1800V	MT4 di cui all'articolo 4

MTx significa qualsiasi tipo di MTC, MTA , MTK

MFx significa qualsiasi tipo di MFC, MFA, MFK

Caratteristiche

Base di montaggio isolata 3000V~
Tecnologia di contatto a pressione con
Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

Motori a corrente alternata
Vari rettificatori
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj(℃)	Valore			Unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj(℃)	Min	TIPO	Max	Unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180。mezza onda senoide 50 Hz raffreddato a lato singolo, Tc=55°C	125			800	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS	180° mezza onda sinusoidale 50Hz	125			1256	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			120	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	10 ms di mezza onda sinusoidale, VR=0V	125			16	kA
I2t	I2t per coordinazione fusibile	10 ms di mezza onda sinusoidale, VR=0V	125			1280	A ²s* 10 ³
VTO	Voltaggio di soglia		135			0.80	V
rT	Resistenza di pendenza in stato di accensione		135			0.26	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM= 1500A	25			1.45	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			200	A/μs
tgd	Tempo di ritardo controllato da un cancello	IG= 1A dig/dt= 1A/μs	25			4	μs
tq	Tempo di spegnimento commutato da circuito	ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs	125		250		μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA= 12V, IA= 1A	25	30		250	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	V
IH	Corrente di mantenimento			10		300	mA
IL	Corrente di aggancio	IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us	25			1500	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	125			0.25	V
IGD	Corrente di porta non innescata	VDM=67%VDRM	125			5	mA
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Raffreddato da un lato per chip				0.065	℃/W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Raffreddato da un lato per chip				0.020	℃/W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
FM	Coppia di collegamento terminale (M10)			10.0		12.0	N·m
FM	Coppia di montaggio (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Temperatura di giunzione			-40		125	℃
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	℃
Wt	Peso				2100		g
Outline	414S3