Raffreddamento ad acqua

MTx800 MFx800 MT800,Moduli Thyristor/Diode,Raffreddamento a acqua

800A,600V~1800V, 411F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx800 MFx800 MT800

Appurtenance:

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Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Modulo tiristore/diodo e, MTx800 MFx800 MT800 ,8 00A ,Raffreddamento ad acqua ，prodotto da TECHSEM.

Breve introduzione

Modulo tiristore/diodo e, MTx 800 MFx 800 MT 800，800A ,Raffreddamento ad acqua ，prodotto da TECHSEM.

VRRM,VDRM	Tipo e contorno
600V	MT2 sistema di controllo	MFx800-06-411F3
800V	MT2 sistema di controllo	MFx800-08-411F3
1000V	MT2 sistema di controllo	MFx800-10-411F3
1200V	MT2 sistema di controllo	MFx800-12-411F3
1400V	MT2 sistema di controllo	MFx800-14-411F3
1600V	MT2 sistema di controllo	MFx800-16-411F3
1800V	MT2 sistema di controllo	MFx800-18-411F3
1800V	MT4205 - Sistemi di controllo

MTx significa qualsiasi tipo di MTC, MTA , MTK

MFx significa qualsiasi tipo di MFC, MFA, MFK

Caratteristiche

Base di montaggio isolata 3000V~
Tecnologia di contatto a pressione con
Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

Motori a corrente alternata
Vari rettificatori
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	Valore			Unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	Min	TIPO	Max	Unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180° mezza onda sinusoidale 50Hz Conducibile a raffreddamento a lato singolo, THS=55 ℃	125			800	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS		125			1256	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			45	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	VR=60%VRRM,t= 10ms mezzo seno	125			22.0	kA
I2t	I2t per coordinazione fusibile	VR=60%VRRM,t= 10ms mezzo seno	125			2420	10³A ²s
VTO	Voltaggio di soglia		125			0.90	V
rT	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			0.35	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=2400A	25			1.95	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	V
IH	Corrente di mantenimento			10		200	mA
IL	Corrente di aggancio					1000	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Raffreddato da un lato per chip				0.050	℃ /W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Raffreddato da un lato per chip				0.024	℃ /W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
FM	Torsione di connessione terminale ((M12)			12		16	N·m
FM	Torsione di montaggio ((M8)			10		12	N·m
Tvj	Temperatura di giunzione			-40		125	℃
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	℃
Wt	Peso				3230		g
Outline	411F3