Introduzione sintetica
Modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.
Caratteristiche
- Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
- VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
- Basse perdite di cambio
-
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
- Cassa a bassa induttanza
- FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
- Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Applicazioni tipiche
- Fonte di alimentazione ininterrotta
- Calore induttivo
- Macchine per saldatura
Assoluto Massimo Classificazioni T C=25o C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valori |
UNITÀ |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
IC |
Corrente del collettore @ T C=25o C
@ T C= 100o C
|
309
200
|
A |
ICm |
Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms |
400 |
A |
PD |
Dissipation di potenza massima @ T =175o C |
1006 |
A |
Diodo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valori |
UNITÀ |
V RRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1200 |
V |
IF |
Diodo di continua curvatura anteriore affitto |
200 |
A |
IFM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
400 |
A |
Modulo
Il simbolo |
DESCRIZIONE |
Valori |
UNITÀ |
T jmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
o C |
T - Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +150 |
o C |
T STG |
Temperatura di stoccaggio Autonomia |
-40 a +125 |
o C |
V ISO |
Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN |
2500 |
V |
IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
|
V CE (sat)
|
Collettore all'emittente
Tensione di saturazione
|
IC=200A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC=200A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
IC=200A,V GE = 15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
Limita di emissione della porta Tensione |
IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ICES |
Collettore Tagliato -OFF
Corrente
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Barra Gint |
Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
|
4.0 |
|
ω |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C=200A, Barra G= 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j =25o C
|
|
150 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
32 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
330 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
93 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
11.2 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
11.3 |
|
mJ |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C=200A, Barra G= 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 125o C
|
|
161 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
37 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
412 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
165 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
19.8 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
17.0 |
|
mJ |
t d (attivo ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C=200A, Barra G= 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 150o C
|
|
161 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
43 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
433 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
185 |
|
nS |
Eattivo |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
21.9 |
|
mJ |
EoFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
19.1 |
|
mJ |
|
ISC
|
Dati SC
|
t P≤ 10 μs,V GE = 15V,
T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
800
|
|
A
|
Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
|
V F
|
Diodo di avanzamento
Tensione
|
IF =200A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
Qbarra |
Importo recuperato |
V Barra = 600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
17.6 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
228 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
7.7 |
|
mJ |
Qbarra |
Importo recuperato |
V Barra = 600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C
|
|
31.8 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
238 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
13.8 |
|
mJ |
Qbarra |
Importo recuperato |
V Barra = 600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C
|
|
36.6 |
|
μC |
IRM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
|
247 |
|
A |
Ericerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
15.2 |
|
mJ |
NTC Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
Barra 25 |
Resistenza Nominale |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Deviazione di Barra 100 |
T C= 100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Potenza
Dissipazione
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Valore B |
Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Valore B |
Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Valore B |
Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
LCE |
Induttanza di deflusso |
|
21 |
|
nH |
Barra CC+EE |
Resistenza di contatto del modulo e, Terminale a Chip |
|
1.80 |
|
mΩ |
Barra ilJC |
Connessione con il caso (per IGB) T)
Connessione con il caso (per D) iodio)
|
|
|
0.149
0.206
|
C/W |
|
Barra thCH
|
Cassa-sink (per IGBT)
Cassa-sink (p) diodo)
Caso-a-Radiatore (per M odulo)
|
|
0.031
0.043
0.009
|
|
C/W |
M |
Fabbricazione di dispositivi di controllo: |
3.0 |
|
6.0 |
N.M |
G |
Peso di Modulo |
|
300 |
|
g |
EN
